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输入电容(Ciss@Vds): 标准 反向传输电容(Crss@Vds): 标准 工作温度: 标准 封装/规格: DFN8(5X6) 包装: 编带 最小包装量: 2500 产品特性: 大功率 封装: DFN8(5X6) 包装方式: 编带 数量: 99999 芯片: 台积电 工艺: 长电封测代工 安装方式: 表面贴片 产品保证: 原装 批号...
FET类型 : MOSFET N 通道,金属氧化物 FET功能 : 逻辑电平门 漏源极电压(Vdss) : 30V 电流-连续漏极(Id)(25°C时) : 9A(Ta) 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值) : 15 毫欧 @ 9A,10V 不同Id时的Vgs(th)(最大值) : 2.5V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) : 15nC @ 5V 不同Vds时的输入电容(...
不同Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):3130pF 电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds:15V 功率耗散(最大值):3W(Ta) 不同Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):2.8 毫欧 @ 28A,10V 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:8-PSOP 封装/外壳:8-SMD,扁平引线 无铅情况/RoHs:无铅/符合...
商品目录 场效应管(MOSFET) 类型 1个N沟道 漏源电压(Vdss) 30V 连续漏极电流(Id) 12A 导通电阻(RDS(on)) 8mΩ@10V,15A 耗散功率(Pd) 3W 属性参数值 阈值电压(Vgs(th)) 2.5V 栅极电荷量(Qg) 21nC@10V 输入电容(Ciss@Vds) 1.11nF@15V 反向传输电容(Crss) 150pF@15V 工作温度 -55℃~+150℃ ...
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值)-430pF @ 10V 栅极电压Vgs12V- Td(on)(ns)3- 封装/外壳SO-88-SOP 连续漏极电流Id8.5A- 工作温度-150°C(TJ) Ciss(pF)630- 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值)-26 毫欧 @ 6.5A,10V Vgs(最大值)-±20V ...
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):- FET功能:- 功率耗散(最大值):2W(Ta) 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 器件封装:8-SOP RSH140N03TB1,ROHM(罗姆)产品一站式供应商。 基本参数: 电子零件型号:RSH140N03TB1 原始制造厂商:ROHM(罗姆) ...
输入电容(Ciss@Vds)800pF@15V 反向传输电容(Crss)73pF@15V 工作温度-55℃~+150℃@(Tj) 数据手册PDF 放大查看下载PDF 梯度价格 梯度 折扣价 原价 折合1圆盘 5+￥0.97682￥1.1492 50+￥0.95506￥1.1236 150+￥0.940525￥1.1065 500+￥0.92599￥1.0894￥4357.6 ...
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 3600pF @ 15V 栅极电压Vgs ±20V - FET类型 N-Channel N 通道 封装/外壳 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 连续漏极电流Id 20A(Ta) - 工作温度 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ) 不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250uA 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) ...
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C42 毫欧 @ 5A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 1mA 闸电荷(Qg) @ Vgs13nC @ 5V 输入电容 (Ciss) @ Vds1200pF @ 10V 功率- 最大2W 安装类型表面贴装 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装8-SOP 包装带卷 (TR) ---...