Taumet Talgan的视频 23 个视频 2:33 АЙЖАНМЫРЗАКУЛОВАНЫҢ ҰЗАТЫУТОЙЫАСАБАТАРАЗДЫҚ НҮРКЕН ЖАҢАБАЕВ 2 人观看 3:15 ЖАДЫРАНЫҢ ҚОРЖЫНСЫЙЛЫҒЫ БАЛЛАРҒА ОЛАРТАЛАСЫ...
第二,有人这样认为“通过在GaN缓冲层上方插入一层40nm厚的高温 AlN 薄膜后……采用这种方法的另外一个好处是由于高温 AlN 插入层的引入,增强了上层 GaN 材料的压应变,使得AlGaN和GaN之间的晶格失配减小、极化效应增强,从而提高了 AlGaN/GaN异质结材料2DEG的迁移率和面密度。”请问高手认为这个观点正确吗?回复...
在蓝宝石衬底上制作AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管. 由于使用了一种全新的T形栅电子束曝光版图,因此可以自由地改变T形栅的宽窄比(T形栅头部尺寸与栅长的比值)并优化T形栅的形状. 所得的0.18μm栅长的器件,其特征频率(fT)为65GHz, T形栅的宽窄比为10. 同时,测得的峰值跨导为287mS/mm,最大电流密度为980mA...
We have successfully fabricated an AlGaN/GaN high-electron-mobility transistor with a distributed gate (DG-HEMT) on a stripe-patterned Si substrate. With the help of the stripe pattern, GaN film with low defect density could be deposited by two-step growth. The striped AlGaN/GaN structure coul...
Analysis of the modulation mechanisms of the electric field and breakdown performance in AlGaN/GaN HEMT with a T-shaped field-plate 来自 学术范 喜欢 0 阅读量: 180 作者:W Mao,JS Fan,M Du,JF Zhang,XF Zheng,C Wang,XH Ma 摘要: A novel Al Ga N/Ga N high electron mobility transistor(...
Scaled Self-Aligned N-Polar GaN/AlGaN MIS-HEMTs With of 275 GHz 喜欢 0 阅读量: 57 作者:Nidhi,Dasgupta,S.,Lu,J.,Speck,S J.,Mishra,K U.摘要: In this letter, we demonstrate state-of-the-art performance from N-polar GaN/AlGaN metal-insulator-semiconductor high-electron-mobility transist...
你好，你的apsys能发我一份吗？在做DUV-LED时想计算一下能带，谢谢！1363309267@qq.com ...
利用热蒸发方法制备了Ti/Al金属双层结构的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)欧姆接触,Ti与Al比例分别为1:2(20 nm/40 nm),1:5(20 nm/100 nm)和1:8(20 nm/160 nm).采用相同退火时间,不同退火温度对不同的Ti与Al比的AlGaN/GaN HEMT结构进行退火.通过XRD对电极结构进行了分析,利用金相显微镜观察了电极的...
硅衬底AlGaN/GaN HEMT耐压理论与新结构研究 硅衬底AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管作为典型的GaN基横向功率器件,得益于GaN材料的宽带隙,高临界击穿场强和AlGaN/GaN异质结处由于极化效应产生的高电子浓度,高电子迁移... 刘建华 - 南京邮电大学 被引量: 0发表: 2023年 GaN HEMT光滑动态模型的建模与验证 阐述氮化镓高电...
研究了一款高性能的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件(HEMT),器件基于在蓝宝石衬底上外延生长的AlGaN/GaN异质结构HEMT材料,器件栅长为86 nm,源漏间距为0.8μm.电子束光刻实现T型栅和源漏,保证了器件小的栅长和高的对准精度.制备的器件显示了良好的直流特性和射频特性,在栅偏压为0 V时漏电流密度为995 mA/mm,在...