其制备方法包括:(1)衬底预处理、Ar离子清洗和靶材预溅射;(2)采用磁控溅射法制备HEA过渡层AlTiVCrZr;(3)HCPEB法强化过渡层;(4)采用磁控溅射法在强化后的AlTiVCrZr过渡层上沉积AlTiVCrZrC层;(5)采用过滤阴极真空电弧法在AlTiVCrZrC层上进一步沉积ta‑C;(6)重复(4)和(5)的操作得到AlTiVCrZrCta‑C多层交替...
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