Ta2NiS5 晶体 Ta2NiS5 是一种窄带隙半导体 (Eg~0.39 eV),具有可疑的激子绝缘体行为,如在其姊妹化合物TA2NISE5中观察到的。激子绝缘体是表现出相关电子相的新型材料系统。当激子结合能 (Eb) 大于带隙 (Eg) 时,激子会凝聚到其基态。半导体中的激子凝聚通过 Bose-Einstein 凝聚过程发生,而半金属中的凝聚通过 ...
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