GB-T 3904三极管规格书.pdf,JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors MMBT3904 TRANSISTOR (NPN) SOT-23 FEATURES As complementary type the PNP transistor MMBT3906 is recommended Epitaxial planar die constructi
立即询价 查看电话 QQ联系 tmbt3904原装现货来百能云芯-专业电子元件采购平台 -- -- -- -- 面议 深圳市百能信息技术有限公司 -- 立即询价 TMBT3904,LM(T 集成电路(IC) TOSHIBA/东芝 封装SOT-23 批次22+ TMBT3904,LM(T 2百万 TOSHIBA/东芝 SOT-23 22+ ...
The T3904 is a multi-mode, low noise digital MEMS microphone in a small package. The T3904 consists of a MEMS microphone element and an impedance converter amplifier followed by a fourth-order Σ-Δ modulator. The digital interface allows the pulse density modulated (PDM) output of two ...
货号: T3904 Product Introduction Bioactivity 名称 Gomisin J 描述 Gomisin J is a natural product and have vasodilatory activity. Gomisin J suppresses lipid accumulation by regulating the expression of lipogenic and lipolytic enzymes and inflammatory molecules through activation of AMPK, LKB1 and Ca2+...
台产MMDT3904 贴片三极管 200mA 40V SOT-363 NPN+NPN双极晶体 深圳市茂源微半导体有限公司7年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥0.07 原装长电MMDT3904 SOT-363 丝印K6N 贴片三极管 CJ江苏长电原装 深圳市征芯顺科技有限公司1年 月均发货速度:暂无记录 ...
型号TMBT3904,LM封装SOT-23品牌TOSHIBA(东芝)正品 深圳市曦源科技有限公司1年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市 ¥23.00 TMBT3904SOT-23 3904 贴片1AM三极管封装NPN极性 原装 晶体管 深圳市高科隆电子有限公司11年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市福田区 ...
MMDT3904 PDF规格书 ■ Features ● Epitaxial planar die construction ● Ideal for low power amplification and switching ● Dual NPN Transistors ■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃ MMDT3904 NPN Transistors
型号 PT23T3904 技术参数 品牌: Prisemi 芯导 型号: PT23T3904 封装: SOT-23SOT-23-3 批号: 21+ 数量: 3000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -50C 最大工作温度: 130C 最小电源电压: 1V 最大电源电压: 6V 长度: 2.8mm 宽度: 7.1mm 高度: 1.9mm 价格说明 价格:商品在爱采购的...
CMPT3904 场效应管 NK/南科功率 封装SOT-23 批号2021+ CMPT3904 58888 NK/南科功率 SOT-23 2021+ ￥0.0100元>=8888 个 深圳市南科功率半导体有限公司 3年 -- 立即询价 查看电话 QQ联系 没有更多相关货源,您可以全网发布 “ 场管t3904 ” 询价单,快速获得更多供应商报价 全网询价 ...
品牌名称 Prisemi(芯导) 商品型号 PT23T3904 商品编号 C110744 商品封装 SOT-23 包装方式 编带 商品毛重 0.032克(g) 数据手册 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录 三极管(BJT) 晶体管类型 NPN 集电极电流(Ic) 200mA 集射极击穿电压(Vceo) 40V 耗散功率(Pd) 150mW 属性参数值 直流电流增益...