申请(专利权)人: 上海华虹NEC电子有限公司 发明人: 陈晓波 国省代号: CN310115 摘要: 本发明公开了一种栅极氧化层制作方法,包括以下步骤:第一步,在二氧化硅层上铺垫一层多晶硅;第二步,打开多晶硅刻蚀区域;第三步,进行多晶硅刻蚀的过刻,在多晶硅和二氧化硅分界面形成向内缺口;第四步,多晶硅再氧化,在第三步中...