TO0247-3L和TO247-4L封装结构的SiCMOSFET双脉冲电路中,Udc为直流母线电压;Lloop1为母线杂散电感;Ugs为驱动电源;Rgex为驱动电阻;VD为上桥臂二极管,其为负载电感Lload提供续流回路,Cj为其结电容。下桥臂为此处研究的SiCMOSFET,Lg,Ld,Ls为杂散电感;Cgs,Cgd,Cds分别为寄生电容;Rgin为栅极内阻。可见,T0247-4L封...