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SVF5N60T(F)(D)(MJ)说明书_1.2-L
SVF5N60T(F)(D)(MJ)说明书_1.2-L.pdf,SVF5N60T/F/D/MJ 说明书 5A、600V N沟道增强型场效应管 描述 2 SVF5N60T/F/D/MJ N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体 管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。 1 先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通
价格 ¥ 1.00 起订数 100个起批 发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 其他集成电路 商品关键词 SVF5N60T、 SILAN/士兰微、 TO-220 商品图片 商品参数 品牌: SILAN/士兰微 封装: TO-220 批号: 22+ 数量: 10000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -30...
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SVf11n60t不可以用5N60C代替，但它可以替代5N60C。
品牌/型号:SILAN/SVF5N60T/F/D/MJ 类型:其他IC 品牌:SILAN 型号:SVF5N60T/F/D/MJ 批号:2012 供应商信息 公司地址深圳市福田区深南路佳和华强大厦A座第30层08、09统一社会信用代码91440300058962544B 组织机构代码058962544注册资本50万人民币 营业期限44891-04-04至54890-02-03经营状态存续 ...