SVF5N60D 商品编号 C68776 商品封装 TO-252-2(DPAK) 包装方式 编带 商品毛重 0.468克(g) 商品参数 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 数量1个N沟道 漏源电压(Vdss)600V 连续漏极电流(Id)5A 属性参数值 导通电阻(RDS(on))2.15Ω@10V,2.5A 耗散功率(Pd)120W 阈值电压(Vgs(th))4V 数据
1. 高性能:SVF5N60D型号采用了先进的MOSFET技术,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,能够实现优良的性能表现。 2. 高耐压:SVF5N60D型号具有较高的耐压能力,可承受较高的工作电压,能够满足各种高压应用的需求。 3. 低功耗:由于采用了先进的功率MOSFET技术,SVF5N60D型号在工作时能够实现较低的功耗,有助于提高系统...
SVF5N60D 价格参考￥ 2.8836 。 Silan SVF5N60D 封装/规格: TO-252(DPAK), 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):5A;功率(Pd):120W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.15Ω@10V,2.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;。你可以下载 SVF5N60D 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书...
SVF5N60T(F)(D)(MJ)说明书_1.2-L
本文主要介绍士兰微MOS场效应管_MOS场效应管SVF5N60D型号详情,MOS场效应管是金属(metal)、氧化物(oxide)、半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)、半导体,MOS场效应管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。
SVF5N60T(F)(D)(MJ)说明书_1.2-L.pdf,SVF5N60T/F/D/MJ 说明书 5A、600V N沟道增强型场效应管 描述 2 SVF5N60T/F/D/MJ N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体 管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。 1 先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通
SVF5N60T/F/D/MJ/K N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。 该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PWM马达驱动。
SVF5N60F TO-220F 代理 原装 SILAN 士兰微 场效应MOS管 SVF5N60 深圳市东方世纪电子有限公司16年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥0.20 SVF5N60F SVF5N60T 增强型功率MOS场效应晶体管MOS 库存供应 深圳市融意电子有限公司2年 月均发货速度:暂无记录 ...
SVF5N60F 产品详情 二极管 ROHM采用先进的技术以达到在各种封装类型中,提供各种高可靠性,低损耗产品。 而且,已经将开发小信号、中功率器件时成长起来的技术应用于功率器件制造,高质量的功率肖特基二极管和快速恢复二极管已经商品化了。 肖特基二极管 罗姆的肖特基二极管是兼备低VF,低IR,高ESD强度的二极管。 快速恢复二极管...
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