型号 SUD50P10-43L-GE3 PDF资料 集成电路-其他集成电路-SUD50P10-43L-GE3-VISHAY/威世-TO-252-2021+.pdf 下载 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准...
SUD50P10-43L-GE3由Vishay设计生产。SUD50P10-43L-GE3封装/规格:配置/单路:阈值电压/3V@250µA:晶体管类型/P沟道:功率耗散/8.3W:额定功率/8.3W,136W:反向传输电容Crss/175pF:栅极源极击穿电压/±20V:击穿电压/100V:极性/P-沟道:元件生命周期/Active:存储温度/-55℃~+150℃:引脚数/3Pin:高度/2.38...
立创商城提供VISHAY(威世)的场效应管(MOSFET)SUD50P10-43L-GE3中文资料,PDF数据手册,引脚图,封装规格,价格行情和库存,采购SUD50P10-43L-GE3上立创商城
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半导体行业观察第一站 SUD50P10-43L-GE3 暂无SUD50P10-43L-GE3 的描述信息! SUD50P10-43L-GE3国产替代产品SUD50P10-43L-GE3采购批发价格 SUD50P10-43L-GE3 PDF文档 型号厂商大小 SUD50P10-43L-GE3VISHAY/威世0.16M 相关资料 SUD50P10-43L-GE3相关资讯...
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商品型号:SUD50P10-43L-GE3 产品状态:在售 封装规格:TO-252 数据手册: DATASHEET 商品编号:L203210724 商品参数 近似物料 商品分类 场效应管(MOSFET) 品牌 VISHAY(威世) 封装 TO-252 包装 圆盘 FET类型 P通道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 100V 25℃时电流-连续漏极(Id) 37.1A(Tc) 驱动...
型号 厂家 批号 数量 封装 包装 备注 SUD50P10-43L-GE3 VISHAY 17+ 1500 DPAK (TO-252) MOSFET P-channel 型号 厂家 批号 数量 封装 包装 备注 帐号名 密码 联系电话 电子邮件 联系人网站首页 | 库存中心 | 图片展示 | 品牌分类 | 文章资讯 | 在线订购 | 联系我们 | 关于我们 Copyright @ 1998 - ...
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 可售卖地 全国 类型 2,000 型号 SUD50P10-43L-GE3 PDF资料 .pdf 下载 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协...
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