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基于COMPASS分子力场,经过分子聚合,能量最小化和退火模拟等构建SU-8光刻胶模型.利用分子动力学的研究方法,模拟研究了SU-8胶的玻璃化转变温度及其主要的影响因素;同时计算了在室温条件下交联SU-8胶的杨氏模量、泊松比、剪切模量、体积模量等力学性能.结果表明,模拟得到的玻璃化转变温度和力学性能与实验结果相一致;非键...
请问大神：哪里可以查到 SU-8材料的热导率、热膨胀系数、杨氏模量、泊松比？？？
SU-8负性光刻胶和SiC晶须因其在微机电系统加工技术中的良好表现而引起关注,因此采用SiC晶须掺杂的SU-8负性光刻胶作为MEMS惯性开关可动电极,通过牺牲层工艺将可动电极从基底上脱离之后与固定电极组合构成惯性开关。对掺杂前后的SU-8材料进行了杨氏...
[0071]参照表1,SU‑8光致光阻胶的体积电阻、抗拉强度以及杨氏模量等特性值优于氧化硅或氮化硅的。例如,在钝化层包括氧化硅或氮化硅的情况下,可能会产生拉伸应力或压缩应力,因此,应力可能施加到底部的半导体层的叠层结构120中,从而导致如裂缝等物理损伤。另外,在形成氧化硅或氮化硅的过程中通常使用等离子体增强化学...
SU-8 2000化学放大,i线抗蚀剂非常适合制造永久性器件结构。 这些负色调,环氧基抗蚀剂表现出优 异的耐化学性和低的杨氏模量,使其成为制造微/纳米结构的理想选择,如悬臂,膜和微通道。 材料的使用: • PDMS模具制造 • 结构部件,如微流体通道,显示像素阵列,墙壁和介电层 • 干蚀刻掩膜 • 快速成型 材料...
传统的芯片材料曝光均匀性差,SU8的曝光均匀性好,可制作高深宽比结构,并可以通过化学修饰形成超疏水表面,减小使用过程中的摩擦力,增强其磨损耐用性,具有良好的机械性能、较低的杨氏模量和较好的金属层粘附性。这些性质使SU8成为了制作微反应池的极佳选择。 SU8成模技术是一种精密的微细加工技术,主要由涂胶、前烘...
稀释剂:SU-8 Thiner 显影液:SU-8 Developer 去胶液:Remover PG 增附剂:OmniCoat 一般储存温度: 4-21°C SU-8 2000化学放大,i-Line抗蚀剂非常适合制造永久性器件结构。这些负性,环氧基抗蚀剂表现出优异的耐化学性和低杨氏模量,这使其成为制造微/纳米结构(如悬臂,膜和微通道)的理想选择。
内应力的测量为SU -8胶层内应力的定量研究奠定了基础。关 键 词:SU -8;内应力测量;基片曲率法;Sto ney 公式 中图分类号:T N305.7 文献标识码:A Study on internal stress of thick SU -8layer in MEMS DU L-i qun 1,ZH U Shen -miao 2 (1.K ey L abor ator y f or P recision &N ...