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STW11NK100Z - N沟道1000V - 1.1 Ohm - 8.3A - TO-247有齐纳管保护的SuperMESH™功率MOSFET, STW11NK100Z, STMicroelectronics
商品型号 STW11NK100Z 商品编号 C126636 商品封装 TO-247AC-3 包装方式 管装 商品毛重 6.985克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个N沟道 漏源电压(Vdss)1kV 连续漏极电流(Id)8.3A 导通电阻(RDS(on))1.38Ω@10V,4.15A ...
型号 STW11NK100Z 技术参数 品牌: STM 型号: STW11NK100Z 封装: TO-247-3 批号: 20+/21+ 数量: 49500 制造商: STMicroelectronics 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: Through Hole 封装/ 箱体: TO-247-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 1 kV Id-连续漏极电流...
起订数 100个起批 500个起批 2500个起批 发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 其他晶体管 商品关键词 STW11NK100Z、 ST/意法半导体、 TO247 商品图片 商品参数 品牌: ST/意法半导体 封装: TO247 批号: 23+ 数量: 35716 制造商: STMicroelectronics 产品种类: MOSFET RoHS:...
制造商编号 STW11NK100Z 制造商 ST(先科) 唯样编号 H-STW11NK100Z 供货 Verical 代购 无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs 描述 分享: 数据手册 PDF资料下载 暂无数据 参数信息 常见问题 参数有误? 技巧:勾选主要参数,留空一些可替代的参数,点击查看相似商品,即可快速找到替代品了! 参数参数值操作 商品目...
STW11NK100Z s s s s s s V DSS R DS ( ON) I D 8.3 A Pw 230 W 1000 V < 1.38 典型 DS (上) = 1.1 DV dt能力极高/ 100%的雪崩测试 栅极电荷最小化 非常低的固有电容 VERY GOOD MANUFACTURING 重复性 3 2 1 TO-247 描述 在超网系列是通过获得 ST的确立带钢的极端优化 基础的PowerMESH ...
型号 STW11NK100Z 公司介绍 深圳市航顺世纪科技有限公司主营电子元器件现货分销和为客户提供剩余IC库存解决方案。寻求IC芯片优势资源,我出本钱压货,你负责分钱,实力雄厚,期待原厂,工厂,代理商合作。 公司长期高价回收:ALTERA(阿尔特拉),XILINX(赛灵思),TI(德州仪器)ALLEGRO,ON(安森美),ST(意法),Infineon(英飞凌)...
采购2025夏 STW11NK100Z W11NK100Z N沟道场效应TO-247 全新原装 询价单编号:ZGC6137***285 询价单有效期:至2025***入驻工厂可见 联系人及电话:吴女士 ***入驻工厂可见 备注:***入驻工厂可见 采购类目N沟道MOSFET 采购类型一次 货物类型现货 收货地址广东 广州 阿里巴巴找到海量相关的产品参数/图片/价格...