功率晶体管 功率MOSFET N-沟道 (>700V) MDmesh K5 系列 STW10N105K5 STW10N105K5批量生产 储存到myST N沟道1050 V、1 Ohm典型值、6 A MDmesh K5功率MOSFET,TO-247封装 下载数据手册 概述 样片和购买 文件 CAD资源 工具与软件 质量与可靠性 ...
FET类型 : MOSFET N 通道,金属氧化物 FET功能 : 标准 漏源极电压(Vdss) : 1050V(1.05kV) 电流-连续漏极(Id)(25°C时) : 6A(Tc) 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值) : 1.3 欧姆 @ 3A,10V 不同Id时的Vgs(th)(最大值) : 5V @ 100µA 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) : 21.5nC @ 10V 不同Vds时的...
型号 STW10N105K5 PDF资料 电子管-场效应管-STW10N105K5-ST/意法半导体-TO-247-3.pdf 下载 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完...
型号: STW10N105K5 封装: TO-220FP-3 批号: 22+ 数量: 5000 类别: 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 制造商: STMicroelectronics 系列: MDmesh K5 Product Status: 在售 FET 类型: N 通道 漏源电压(Vdss): 1050 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最...
唯样商城为您提供STMicro设计生产的STW10N105K5 元器件,主要参数为:TO-247-3 TO-247 ,STW10N105K5库存充足,购买享优惠!
百度爱采购为您找到23家最新的stw10n105k5仿真模型厂家、优质批发/供应商,海量企业黄页,包含厂家工商信息、主营产品和详细的商品参数、图片、报价、供求信息等。
百度爱采购为您找到7家最新的STW10N105K5产品的详细参数、实时报价、行情走势、优质商品批发/供应信息,您还可以免费查询、发布询价信息等。
N沟道1050 V、1 Ohm典型值、6 A MDmesh K5功率MOSFET,TO-247封装 产品概述 描述 这款超高压N-沟道功率MOSFETs 采用MDmesh™ K5技术进行设计。该技术以创新专有的垂直工艺为基础。因此,在要求高功率密度和高效率的应用中,导通电阻显著降低,并具有极低的栅极电荷。
型号: STW10N105K5 封装: TO-247-3 批号: 23+ 数量: 600 制造商: STMicroelectronics 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: Through Hole 封装/ 箱体: TO-247-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 1.05 kV Id-连续漏极电流: 6 A Rds On-漏源导通电阻: 1.3 Ohms ...
品牌: ST/意法半导体 型号: STW10N105K5 批号: 封装: 数量: 10804 QQ: 1144413491 制造商: STMicroelectronics 产品种类: MOSFET RoHS: 是 技术: Si 安装风格: Through Hole 封装/ 箱体: TO-247-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 1.05 kV Id-连续漏极电流: 6 A Rd...