STT-MRAM的工作原理是通过自旋电流实现信息写入。STT-MRAM存储单元的核心是一个由两层不同厚度的铁磁层及一层几个纳米厚的非磁性隔离层组成的磁隧道结（MTJ）。具体来说，电流流过磁性层时，电流会被极化，形成自旋极化电流。自旋电子将自旋动量传递给自由层的磁矩，使自旋磁性层的磁矩获得自旋动量后改变方向。其中...