MOS管STS2306-VB SOT-23场效应管微碧半导体电子元器件询单议价 STS2306-VB 9999 VBsemi/微碧半导体 SOT-23 24+ ¥0.5000元1~-- PCS 深圳市微碧半导体有限公司 4年 查看下载 立即订购 查看电话 QQ联系 STS2306E 电子元器件 SAMHOP 封装SOT-23 批次2022 STS2306E ...
STS2306E 141Kb/7PS uper high dense cell design for low R DS (ON). More results 类似说明 - STS2306 制造商部件名数据表功能描述 SamHop Microelectronics...SDM4800 649Kb/7PN-Channel E nhancement Mode Field Effect Transistor SDU30N02
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型号: STS2306-VB 商品编号: G11752676 封装规格: SOT-23 商品描述: 台积电流片,长电科技封装;这是一款单N型场效应晶体管,适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造;可用作开关电源的关键部件,驱动汽车电子系统中的各种负载,控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23;N—Channel沟道,20V;6A;RDS(ON)=28mΩ...
品牌名称VBsemi(微碧半导体) 商品型号 STS2306-VB 商品编号 C878841 商品封装 SOT-23 包装方式 编带 商品毛重 0.044克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个N沟道 漏源电压(Vdss)20V 连续漏极电流(Id)6A ...
STS2306A-VB 是VBsemi品牌的SOT23封装的N-Channel沟道场效应晶体管。参数包括:20V耐压,6A电流,RDS(ON)为24mΩ(在VGS=4.5V、VGS=8V时),阈值电压Vth在0.45~1V之间。 **详细参数说明:**- 耐压:20V- 电流:6A- RDS(ON):24mΩ @ VGS=4.5V, VGS=8V- 阈值电压:0.45~1V **应用简介:**适用于SOT23封装...
STS2306-VB一种N沟道SOT23封装MOS管 (0)踩踩(0) 所需:1积分 关于Suno AI 的简要教程 2025-03-14 06:25:38 积分:1 498907558561688X桌面.apk 2025-03-14 04:34:06 积分:1 Soul.apk 2025-03-13 21:04:36 积分:1 文件qingli.bat的维护与优化 ...
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 其他集成电路 商品关键词 STS2306、 STS、 SOT-23 商品图片 商品参数 品牌: STS 封装: SOT-23 批号: 20+ 数量: 6000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -10C 最大工作温度: 100C 最小电源电压: 1.5V 最大电源电...
- **型号:** STS2306E-VB- **封装:** SOT23- **丝印:** VB1240 **参数:**- **类型:** N—Channel沟道- **工作电压:** 20V- **最大连续漏极电流:** 6A- **导通电阻 (RDS(ON)):** 24mΩ @ VGS=4.5V, VGS=8V- **阈值电压 (Vth):** 0.45~1V **应用简介:**STS2306E-VB 是...
产品中心 > 分离式半导体 > STS2306-1 图片仅供参考,请参阅产品规格。STS2306-1N-Channel E nhancement Mode Field Effect Transistor制造商 : CD 封装/规格 : SOT-23 产品分类 : 分离式半导体 Datasheet: STS2306-1 Datasheet (PDF) RoHs Status: Lead free / RoHS Compliant 库存: 3000 Share: ...