- 快速开关速度:STP120N4F6具有快速的开关速度,其开关时间在纳秒级。这有助于减少开关损耗,提升整体系统的效率,特别是在高频应用中表现尤为突出。 - 热性能良好:STP120N4F6设计具有优良的热性能,热阻(Rthj-c)为0.4°C/W。这意味着它在高功率运行时能够更好地散热,保持稳定的工作温度,延长器件的使用寿命。 综...
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功率晶体管 功率MOSFET N-沟道 (>30V 至 350V) STP120N4F6 STP120N4F6批量生产 储存到myST N沟道40 V、3.8 mOhm、80 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) 功率MOSFET,TO-220封装 下载数据手册 Order Direct 概述 样片和购买 文件 CAD资源 工具与软件 质量与可靠性 ...
STP120N4F6 Payment method L/C ,D/A ,D/P ,T/T MOQ 1 Pcs Package Tube, Tray, Tape, Reel, Bag or Box etc Specifications standard Serial Interfaces standard Memory Type standard Current - Output (Max) standard Voltage - Off State standard Current Transfer Ratio (Min) standard V...
对比 1个N沟道 耐压:40V 电流:80A SMT扩展库 嘉立创SMT补贴 描述 N沟道40 V、3.8 mOhm、80 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) 功率MOSFET,TO-220封装 品牌名称ST(意法半导体) 商品型号 STP120N4F6 商品编号 C457462 商品封装 ITO-220AB-3 包装方式 ...
STP120N4F6-VB是一款TO220封装的N—Channel沟道MOSFET,具有高电流和低开启电阻的特性,适用于高功率应用。以下是它可能用在的一些领域模块: 1. **电源模块:** 由于STP120N4F6-VB的高电流和电压能力,适用于构建高功率电源开关模块,提供高效且稳定的电源输出。 2. **电机驱动:** 可用于电机控制模块,例如电动...
型号 STP120N4F6 IRF2204PBF 唯样编号 G-STP120N4F6 A-IRF2204PBF 制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies 供应商 Arrow 唯样自营 分类 未分类 功率MOSFET 描述 N-Channel 40 V 3.8 mOhm 80 A STripFET™ VI DeepGATE™ Power Mosfet-TO-220 数据表 STB120N4F6.pdf IRF2204PBF.pdf RoH...
类似说明 - STP120N4F6 制造商 部件名 数据表 功能描述 STMicroelectronics STB120N4LF6 897Kb / 18P N-channel 40 V, 3.1 m廓, 80 A DPAK, D짼PAK STripFET??VI DeepGATE??Power MOSFET STB120N4F6 998Kb / 18P N-channel 40 V, 3.5 m廓 , 80 A, DPAK, D짼PAK STripFET??VI DeepGATE?
STP180N4F6批量生产 储存到myST N沟道40 V、3.8 mOhm典型值、120 A STripFET F6功率MOSFET,TO-220封装 下载数据手册 Order Direct 概述 样片和购买 文件 CAD资源 工具与软件 质量与可靠性 产品概述 描述 所有功能 精选 产品 特别推荐 描述 This device is an N-channel Power MOSFET developed using...
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