型号 STP3N150 技术参数 品牌: ST 型号: STP3N150 封装: TO-220 批号: 21+ 数量: 10000 制造商: STMicroelectronics 产品种类: MOSFET 安装风格: Through Hole 封装/ 箱体: TO-220-3 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 1.5 kV Id-连续漏极电流: 2.5 A Rds On-漏源...
STP105N3LL批量生产 储存到myST N沟道30 V、2.7 mOhm典型值、150 A STripFET H6功率MOSFET,TO-220封装 下载数据手册 Order Direct 概述 样片和购买 文件 CAD资源 工具与软件 质量与可靠性 产品概述 描述 所有功能 精选 产品 特别推荐 描述 This device is an N-channel Power MOSFET developed using...
STP150N10F7AG - 汽车用N沟道100 V、4.2 mΩ典型值、110 A STripFET F7功率MOSFET,采用TO-220封装, STP150N10F7AG, STMicroelectronics
型号: STPS30150CFP 封装: TO-220F 批号: 21+ 数量: 30000 制造商: STMicroelectronics 产品种类: 肖特基二极管与整流器 RoHS: 是 产品: Schottky Rectifiers 安装风格: Through Hole 封装/ 箱体: TO-220-3 FP If - 正向电流: 30 A 2 x 15 A Vrrm - 重复反向电压: 150 V Vf - 正向电压: 1 V If...
STP105N3LL - N沟道30 V、2.7 mOhm典型值、150 A STripFET H6功率MOSFET,TO-220封装, STP105N3LL, STMicroelectronics
Vrrm - 重复反向电压: 150 V Vf - 正向电压: 1 V Ifsm - 正向浪涌电流: 220 A 配置: Dual Common Cathode 技术: Si Ir - 反向电流: 6.5 uA 最小工作温度: - 65 C 最大工作温度: + 175 C 系列: STPS30150C 高度: 9.3 mm 长度: 10.4 mm 工作温度范围: + 175 C 端接类型...
If - 正向电流: 30 A 2 x 15 A Vrrm - 重复反向电压: 150 V Vf - 正向电压: 1 V Ifsm - 正向浪涌电流: 220 A 配置: Dual Common Cathode 技术: Si Ir - 反向电流: 6.5 uA 最小工作温度: - 65 C 最大工作温度: + 175 C 系列: STPS30150C 高度: 20.15 mm 长度: 15.75...
建议可以了解一款170N1F4A型号场效应管,它是一款纯国产MOS管半导体元器件,能够替代STP150N10F7、MDP1991、HYG045N10NS1P、HYG042N10NS1P、IPP045N10N3G、SVG104R0NT型号参数在驱动电路中使用。 目前在国产市场中170N1F4A型号场效应管是能完美在MPPT太阳能控制器中使用,这一点是已经获得众多的电机厂家所认可的。除了...
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