相同点: CPU、FLASH都处于停止运行状态,而SRAM仍然处于运行,这意味着内存里的内容会保持住。LSE(Low Speed External)/LSI(Low Speed Internal)时钟运行为唤醒源提供运行时钟。 待机/关机模式 待机模式Standby mode:待机模式用于通过BOR实现低功耗。内部稳压器已关闭,因此由供电的所有电路都被关闭, PLL,MSI RC,HSI16...
flash擦除方式有两种：1、Page erase—以页位单位擦除，1页=2K，每次最少擦除1页；2、Mass erase—...
MCU 通过向 SPI Flash发送各种命令来读写 SPI Flash内部的寄存器,所以这种裸机驱动,首先要先宏定义出需要使用的命令,然后利用 HAL 库提供的库函数,封装出三个底层函数,便于移植: 向SPI Flash 发送命令的函数 向SPI Flash 发送数据的函数 从SPI Flash 接收数据的函数 接下来开始编写代码~ 宏定义操作命令 #define ...
代码是基于STM32Cube库来组织的,连续写了三个64位的数据到指定的FLASH空间。其中主要涉及到一个FLASH编程函数HAL_FLASH_Program(),它有三个变量,分别是编程模式,待编程的FLASH地址以及用于编程的数据。 代码比较简单,对欲编程的地址做检查确认,然后进行FLASH编程开锁,清除可能存在的各种挂起状态标志,进行双字编程,之后...
1. 引言 客户反应STM32L4R9 同QSPI Flash 通讯,测出来的读取速率为10MB/s, 和理论值相差较大。 2.问题分析 按照客户的时钟配置和STM32L4R9 的数据手册中的数据,OSPI 读数速率为10MB/s肯定存在问题。同时我们也可以在AN4760 应用手册中看到如下说明: ...
其实,针对STM32L4的内部FLASH编程,跟STM32F1/L1系列是不同的,其中STM32F1的内部FLASH编程仅支持半字编程,STM32L1的内部FLASH编程主要支持字编程或半页编程。而STM32L4系列的内部FLASH编程所支持的则是64位双字编程或以32个双字为单位的快速行编程。 对于少量的零星数据编程自然会选择64位双字编程模式,即每次改写Fl...
配置 FLASH ART关闭 FLASH ART开启 SRAM1 SRAM1和SRAM2 表1. 80 MHz系统时钟下STM32L476的性能 mA/MHz CoreMark® CoreMark® 每MHz 每mA 注释 0.117 1.55 13.2 - 0.136 0.130 0.137 3.32 2.37 3.42 24.4 高速缓存开启,预取缓冲器关闭 18.2 SRAM1中的代码和数据 25 SRAM1中的代码和SRAM2中的数据 表 ...
RCC_ClkInitStruct.APB2CLKDivider = RCC_HCLK_DIV1; ret = HAL_RCC_ClockConfig(&RCC_ClkInitStruct, FLASH_LATENCY_4); if(ret != HAL_OK) while(1); /*配置主内部调压器输出电压级别*/ ret = HAL_PWREx_ControlVoltageScaling(PWR_REGULATOR_VOLTAGE_SCALE1); if(ret != HAL_OK) while(1); ...
STM32L496RGT3嵌入高速存储器(高达1mbyte的Flash存储器，320kbyte的SRAM)，用于静态存储器的灵活外部存储器控制器(FSMC)(适用于100引脚及以上封装的设备)，Quad SPI Flash存储器接口(适用于所有封装)和广泛的增强型I/ o和外设，连接到两个APB总线，两个AHB总线和一个32位多AHB总线矩阵。STM32L496RGT3为嵌入式...
其实,针对STM32L4的内部FLASH编程,跟STM32F1/L1系列是不同的,其中STM32F1的内部FLASH编程仅支持半字编程,STM32L1的内部FLASH编程主要支持字编程或半页编程。而STM32L4系列的内部FLASH编程所支持的则是64位双字编程或以32个双字为单位的迅速行编程。 对于少量的零星数据编程自然会挑选64位双字编程模式,即每次改写...