{sector=FLASH_SECTOR_5;}elseif(((Address<ADDR_FLASH_SECTOR_7_BANK1)&&(Address>=ADDR_FLASH_SECTOR_6_BANK1))||\((Address<ADDR_FLASH_SECTOR_7_BANK2)&&(Address>=ADDR_FLASH_SECTOR_6_BANK2))){sector=FLASH_SECTOR_6;}e
解锁Flash,通过HAL库的函数HAL_FLASH_Unlock实现。 检查是否写保护,使能Flash可以编程,然后对其进行编程操作,编程完毕后,等待编程完成,然后禁止Flash编程位。具体操作可以通过HAL库的函数HAL_FLASH_Program实现。 Flash的擦除流程如下: 解锁Flash,通过HAL库的函数HAL_FLASH_Unlock实现。 如果是BANK1或者BANK2需要擦除,调...
STM32H7系列的Flash存储结构通常由多个扇区(Sectors)或页(Pages)组成,每个扇区或页的大小可能不同,具体取决于具体的STM32H7型号。Flash存储器支持编程(写入)、读取和擦除操作,但通常需要先擦除一个扇区或页才能在其中编程数据。 2. 准备STM32H7的开发环境 为了开发STM32H7的程序,您需要准备以下开发环境: 硬件:STM...
具体操作可以通过HAL库的函数HAL_FLASH_Program实现。Flash的擦除流程如下:解锁Flash,通过HAL库的函数HAL_FLASH_Unlock实现。 如果是BANK1或者BANK2需要擦除,调用函数FLASH_MassErase,然后等待擦除完成,完成之后关闭BANK1和BANK2的擦除请求位BER1/BER2 如果是扇区擦除,调用函数FLASH_Erase_Sector,然后等待擦除完成,...
}else{/*Error occurred while writing data in Flash memory. User can add here some code to deal with this error*/} }if(char_len) { memcpy(set_zero, writeData, char_len);if(HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_FLASHWORD, sectorEndAddress, ((uint32_t*)set_zero)) !=HAL_OK) ...
STM32H7的两个Flash BANK是256bit带宽,CPU访问是采用的两个64bit AXI总线。 HAL库的内部Flash编程函数HAL_FLASH_Program固定编写32字节数据。 70.2 内部Flash基础知识 70.2.1 内部Flash的硬件框图 认识一个外设,最好的方式就是看它的框图,方便我们快速的了解内部Flash的基本功能,然后再看手册了解细节。
71.2.1 内部Flash擦除的实现 内部Flash的擦除思路如下: 第1步,获取擦除地址所处的扇区。 第2步,调用函数HAL_FLASH_Unlock解锁。 第3步,调用函数HAL_FLASHEx_Erase擦除一个扇区。 第4步,调用函数HAL_FLASH_Lock上锁。 按照这个思路,程序实现如下:
问STM32H7，HAL_FLASH_Program函数的怪异行为EN对于追捕行为，它非常类似寻找行为。其实追捕的最后一个...
50.1.STM32的内部FLASH简介¶ 在STM32芯片内部有一个FLASH存储器,它主要用于存储代码,我们在电脑上编写好应用程序后,使用下载器把编译后的代码文件烧录到该内部FLASH中, 由于FLASH存储器的内容在掉电后不会丢失,芯片重新上电复位后,内核可从内部FLASH中加载代码并运行,见图51_1。
Unlock the flash memory to enable the flash memory control-register access. 2. Enable the CRC feature by setting the CRC_EN bit in the FLASH_CR1/2 register. 3. Program the desired data burst size in the CRC_BURST field of the FLASH_CRCCR1/2 ...