我们知道,Flash在写的时候必须先整块Sector擦除才能写入。F0/F1系列的直接调用函数擦除指定地址的Sector就行,比如我们需要擦除0x08000000起始地址的Sector,程序如下: FLASH_EraseInitTypeDef f; f.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES; f.PageAddress = 0x08000000; f.NbPages = 1; PageError = 0; HAL_FLASH_Unl...
uint16_t MEM_If_Init_FS(void) { HAL_FLASH_Unlock(); __HAL_FLASH_CLEAR_FLAG(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_OPERR | FLASH_FLAG_WRPERR | FLASH_FLAG_PGAERR |
49.1.选项字节与读写保护¶ 在实际发布的产品中,在STM32芯片的内部FLASH存储了控制程序,如果不作任何保护措施的话,可以使用下载器直接把内部FLASH的内容读取回来,得到bin或hex文件格式的代码拷贝,别有用心的厂商会利用该方法山寨产品。为此,STM32芯片提供了多种方式保护内部FLASH的程序不被非法读取,但在默认情况下...
HAL_DeInit(); //时钟复位 __enable_irq(); //开启中断 } flash扇区擦除函数:先判断扇区内是否有数据,如果存在数据则擦除,用于提升升级速度。 早期的思路是按页读取,然后一一比对是否为0xFFFFFFFF,但一页数据就是2K,大量局部变量导致了栈溢出 ><。
HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_BYTE, SectorAddress, *Data);SectorAddress = SectorAddress + ...
Init.Mode = SPI_MODE_MASTER; HAL_SPI_Init(&SpiHandle); __HAL_SPI_ENABLE(&SpiHandle); } 这段代码中,把STM32的SPI外设配置为主机端,双线全双工模式,数据帧长度为8位,使用SPI模式3(CLKPolarity =1,CLKPhase =1), NSS引脚由软件控制以及MSB先行模式。由于我们与FLASH芯片通讯不需要CRC校验,并没有...
HAL_FLASH_Unlock();//解锁flash __HAL_FLASH_CLEAR_FLAG(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_OPERR | FLASH_FLAG_WRPERR | FLASH_FLAG_PGAERR | FLASH_FLAG_PGPERR | FLASH_FLAG_PGSERR); rtn = f_open(&fil, filename, FA_READ );//打开程序文件 ...
但是无法保证能够涵盖所有开发情况。在使用STM32F4开发SD卡读写功能的时候，我发现ST官方提供的HAL存在...
FLASH 的写操作具有只可以写 0,不能写 1 的特性,所以,在写数据的时候,必须先擦除 block (擦除后,block 数据全部为 1),才可以写入。 NAND FLASH 的 page 由 2 部分组成:数据存储区(data area)和备用区域(spare area), 对MT29F4G08 来说,数据存储区大小为 2K 字节,备用区域大小为 64 字节。我们存储...