内部flash我们参照HAL库或者标准库，直接调用ST公司给我们封装好的库进行编程就可以了，这里我用的是标准...
基于stm32f103ze hal库的内部flash磨损均衡算法的实现与测试 stm32f103ze是大容量的芯片,每个page2k字节,每次至少写2字节,即2*n字节数量,通常情况下,写入数据都是1->0,而不能0->1,因为这个是flash的特性决定的,如果是0->1的操作,那么必须要整个page擦除,这个和eeprom是不一样的, eeprom是可以按字节进行读写的...
FLASH物理特性(只能写0,不能写1),所以写FLASH之前需要擦除,将要写入的区域变为0xFFFF。擦除操作分为:页擦除和批量擦除; 写数据:擦除完成,可写入FLASH,每次只能以16位方式写入; 上锁:写入完成,需设置FLASH_CR[LOCK]位1,重新上锁,防止数据被修改。 4.相关HAL库函数 HAL库相关函数 主要就是前4个函数,最后一...
在此声明——本文摘自这里:【码神岛】STM32F0x HAL库学习笔记(5)片内FLASH的读写操作本文开发环境MCU型号:STM32F103C8T6IDE环境: MDK 5.25代码生成工具:STM32CubeMx 5.0.1HAL库版本:v1.9.0本文内容MCU片内Flash(闪存)的擦除与读写一个Flash读写例子/*main.c中的代
void Flash_EnableReadProtection(void){ FLASH_OBProgramInitTypeDef OBInit;__HAL_FLASH_PREFETCH_BUFFER...
STM32F103学习笔记——SPI读写Flash(一) STM32F103:内部Flash模拟EEPROM HAL库之读写STM32F103内部的FLASH空间 STM32F103:内部Flash的读写 单片机学习笔记———STM32使用SPI读写串行Flash(二) STM32F103学习笔记三 串口通信 基于STM32f103的输入捕获测频率和占空比 126次下载 基于STM32f103的FFT频率测试程序下载...
}//开始写数据uint32_t startAddressIndex = PAGE_START_ADDRESS + (1024*paramSizeKb);//startAddressIndex += 8,写入位置,每次+8是因为存储的类型是uint64_t,占用64bit,8字节for(inti =0; i < len;i ++ , startAddressIndex +=8) {//写入数据HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD, startAddres...
#if STM32_FLASH_WREN //如果使能了写 /** * 函数功能: 不检查的写入 * 输入参数: WriteAddr...
2）摘自《正点原子STM32 F1 开发指南(NANO 板-HAL 库版)》关注官方微信号公众号，获取更多资料：正点...