if((NAND_ID.Maker_ID == NAND_HY_MakerID) && (NAND_ID.Device_ID == NAND_HY_DeviceID)) //判断器件符合 { /*设置NAND FLASH的写地址*/ WriteReadAddr.Zone = 0x00; WriteReadAddr.Block = 0x00; WriteReadAddr.Page = 0x05; /*擦除待写入数据的块*/ status = NAND_EraseBlock(WriteReadAddr...
2.多媒体应用:对于需要播放音频、视频或其他多媒体内容的应用,MK米客方德SD NAND可以存储大量的多媒体文件,提供流畅的播放体验。 3.智能设备数据缓存:在智能家居、智能穿戴设备等应用中,MK米客方德SD NAND可以作为临时数据缓存,提高数据处理速度和系统响应能力。 4.物联网设备数据交互:在物联网设备中,MK米客方德SD ...
Flash memory(闪速存储器)作为一种安全、快速的存储体,具有体积小,容量大,成本低,掉电数据不丢失等一系列优点,已成为嵌入式系统中数据和程序最主要的载体。根据结构的不同可以将其分为NOR Flash和NAND Flash两种。NOR Flash的特点是应用程序可以直接在闪存中运行,不需要再把代码读到系统RAM中运行。NAND Flash不行。
近几天开发项目需要用到STM32驱动NAND FLASH,但由于开发板例程以及固件库是用于小页(512B,我要用到的FLASH为1G bit的大页(2K,多走了两天弯路。以下笔记将说明如何将默认固件库修改为大页模式以驱动大容量NAND,并作驱动。本文硬件:控制器:STM32F103ZET6,存储器:HY27UF081G2A首先说一下NOR与NAND存储器的区别,...
1、一、了解NAND Flash Flash即是存储芯片的一种,其结合了ROM和RAM的特点,既具备电可擦除编程的性能,又可以快速读取数据,数据不会因断电丢失。目前市面上Flash主要有NOR Flash和NAND Flash。简单的理解就是,NOR Flash具有随机存取和随字节执行写操作的能力,即可以访问到存储器内部的任意一个字节,且具有读取速度快...
分享一下，这是我之前用STM32F205VC通过FSMC接NAND FLASH，通过USB设备模式的MSC连接到电脑，用U盘测试...
NAND闪存存储器时序 符号 参数 数值 单位 tCEA 片选低至输出有效 35 ns tWP 写使能低至写...
初始化时,RW-data从flash拷贝到RAM。 50、STM32F103ZET6有144个引脚(Z为144),其中,可用IO口为112个(7X16=112,ABCDEFG口)。 51、ARM公司只生产内核标准,不生产芯片。ST、TI这样的公司从ARM公司那里购买内核,然后外加自己的总线结构、外设、存储器、始终和复位、I/O后就组成了自己的芯片。
FLASH可分为NOR FLASH和NAND FLASH,两者特性有所区别,NOR FLASH读取速度快、可以按字节读写,但容量相同的情况下价格较高,而NAND FLASH读取速度较慢,只能按块为单位读写,但容量相同的情况下价格较低。一般NOR FLASH适用于存储程序代码,NAND FLASH适用于存储大数据量存储。
、STM32(100脚)+NorFlash,用复用的FSMC控制TFT屏,速度快,比较理想。但复用的FSMC不用NADV信号线好像驱动不NorFlash,那能否驱动NandFlash?不想用(144)的STM32,成本高了。还有什么比较好的方案及建议,谢谢斑竹指教 linlin102020-04-13 02:54:56 STM32FSMC的时序配置有问题吗 ...