模式C :NOR闪存- OE翻转,模式C与模式1不同的是,NOE和NADV的翻转变化,以及独立的读写时序; 模式D:带地址扩展的异步操作,模式D与模式1不同的是NADV的翻转变化,NOE的翻转出现在NADV翻转之后,并且具有独立的读写时序。 07 模式1 模式1 -SRAM/PSRAM (CRAM) 下图显示了所遵循的受支持模式的读写事务通过配置FSMC_...
readWriteTiming.FSMC_AddressSetupTime =0x02;//地址建立时间(ADDSET)为2个HCLK 2*1/120M=16nsreadWriteTiming.FSMC_AddressHoldTime =0x02;//地址保持时间(ADDHLD),16nsreadWriteTiming.FSMC_DataSetupTime =0x06;//数据建立时间,50nsreadWriteTiming.FSMC_BusTurnAroundDuration =0x00;//总线恢复时间readWrit...
模式C :NOR闪存- OE翻转,模式C与模式1不同的是,NOE和NADV的翻转变化,以及独立的读写时序; 模式D:带地址扩展的异步操作,模式D与模式1不同的是NADV的翻转变化,NOE的翻转出现在NADV翻转之后,并且具有独立的读写时序。 07、模式1 模式1 -SRAM/PSRAM (CRAM) 下图显示了所遵循的受支持模式的读写事务通过配置FSMC...
PG4 ,//FSMC_A14 //2^15=32kW =64k Bytes//144PIN STM32F103Z PG5 ,//FSMC_A15 //2^16=64kW =128k Bytes//144PIN STM32F103Z PD11,//FSMC_A16 //2^17=128kW =256k Bytes PD12,//FSMC_A17 //2^18=256kW =512k Bytes PD13,//FSMC_A18 //2^19=512kW =1M Bytes PE3 ,//FSMC_A19...
NADV(地址有效信号):上升沿锁存地址的低位 RDn(读信号):低电平读信号有效,上升沿锁存数据,高电平失能(默认状态为高:失能) WRn(写信号):低电平写信号有效,上升沿锁存数据,高电平失能(默认状态为高:失能) FSMC读/写操作时序: STM32F407 上自带 FSMC 控制器,通过 FSMC 总线的地址复用模式实现STM32 与 FPGA 之...
(原文件名:FSMC复用读写.jpg)ALE （NADV）锁存信号下降沿将地址0x07锁存后RD读信号产生下降沿这时AD0...
STM32(100脚)的复用FSMC能否驱动并行Norflash?是否还需要连接 NADV 信号线进行地址锁存? QIANRUSHIZHANG2020-04-10 04:35:20 FPGA与STM32通过FSMC总线通信的实验 FSMC总线通信简介FSMC是STM32系列采用的一种新型存储器扩展技术。在外部存储器扩展方面具有独特的优势,可根据系统的应用需要,方便进行不 同类型大容量静态...
请问STM32F 100PIN的CPU第93号引脚FSMC_NADV是什么功能？是不是当它为高电平时地址线复用为数据线？
方案1. 将AFIO_MAPR2的FSMC_NADV位设为禁止NADV输出，参考依据为最新版的参考手册 因为CUBEMX没有报...
在控制LCD时,使用的是类似异步、地址与数据线独立的NOR FLASH控制方式,所以实际上CLK、NWAIT、NADV引脚并没有使用到。 FSMC NOR/PSRAM中的模式B的写时序见图 FSMC写NOR_FLASH的时序图。 根据STM32对寻址空间的地址映射,地址0x6000 0000 ~0x9FFF FFFF是映射到外部存储器的,而其中的0x6000 0000 ~0x6FFF FFFF则...