STM32F4 闪存的编程位数可以通过 FLASH_CR 的 PSIZE 字段配置,PSIZE 的设置必须和电源电压匹配,见下表: 由于我们开发板用的电压是 3.3V,所以 PSIZE 必须设置为 10,即 32 位并行位数。擦除或者编程,都必须以 32 位为基础进行。 STM32F4 的 FLASH 在写入数据的时候,
/* 读出的数据与写入的数据做比较 */for(int i=0;i<BufferSize;i++){if(usFlashReadBuf[i]!=usFlashWriteBuf[i]){returnTEST_FAILED;}}returnTEST_SUCCESS;}/*** ** End Of File ***
它正好是 STM32 内部 FLASH 的首地址,即 STM32 的程序存储空间就直接是执行空间;它们的大小(Size)分别为 0x00000b50 及 0x00000b3c,执行空间的 ROM 比较小的原因就是因为部分 RW-data 类型的变量被拷贝到 RAM 空间了;它们的最大空间(Max)均为 0x00100000,即 1M 字节,它指的是内部 FLASH 的最大空间。
如下图所示是STM32F103RB系列单片机所使用的存储器大小，Flash为128KB，RAM为20KB，这里的RAM是指SRAM。
(2) 再往Flash 密钥寄存器 FLASH_KEYR中写入 KEY2 = 0xCDEF89AB 50.2.2. 数据操作位数 在内部FLASH进行擦除及写入操作时,电源电压会影响数据的最大操作位数,该电源电压可通过配置FLASH_CR 寄存器中的 PSIZE位改变,见表 数据操作位数。 最大操作位数会影响擦除和写入的速度,其中64位宽度的操作除了配置寄存器位...
*STM32_FLASH_SIZE)))return;//非法地址FLASH_Unlock();//解锁offaddr=WriteAddr-STM32_FLASH_BASE;//实际偏移地址.secpos=offaddr/STM_SECTOR_SIZE;//扇区地址 0~127 for STM32F103RBT6secoff=(offaddr%STM_SECTOR_SIZE)/2;//在扇区内的偏移(2个字节为基本单位.)secremain=STM_SECTOR_SIZE/2-secoff;...
u32 offaddr;// 去掉0X08000000后的地址// 判断写入地址是否在合法范围内if(WriteAddr < STM32_FLASH_BASE || (WriteAddr >= (STM32_FLASH_BASE +1024* STM32_FLASH_SIZE))) {return;// 非法地址}FLASH_Unlock();// 解锁offaddr = WriteAddr - STM32_FLASH_BASE;// 实际偏移地址secpos = offaddr...
*/// 根据中文参考手册,大容量产品的每一页是2K字节#ifSTM32_FLASH_SIZE < 256#defineSTM32_SECTOR_SIZE 1024// 字节#else#defineSTM32_SECTOR_SIZE 2048#endif// 一个扇区的内存u16 STM32_FLASH_BUF[STM32_SECTOR_SIZE /2];voidMed_Flash_Write(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite){ ...
0x08000000,它正好是 STM32 内部 FLASH 的首地址,即 STM32 的程序存储空间就直接是执行空间;它们的大小(Size)分别为 0x00000b50 及 0x00000b3c,执行空间的 ROM 比较小的原因就是因为部分 RW-data 类型的变量被拷贝到 RAM 空间了;它们的最大空间(Max)均为 0x00100000,即 1M 字节,它指的是内部 FLASH 的最...
0x08000000,它正好是 STM32 内部 FLASH 的首地址,即 STM32 的程序存储空间就直接是执行空间;它们的大小(Size)分别为 0x00000b50 及 0x00000b3c,执行空间的 ROM 比较小的原因就是因为部分 RW-data 类型的变量被拷贝到 RAM 空间了;它们的最大空间(Max)均为 0x00100000,即 1M 字节,它指的是内部 FLASH 的最...