STM32 复位后, FPEC 模块是被保护的, 不能写入 FLASH_CR 寄存器; 通过写入特定的序列到 FLASH_KEYR 寄存器可以打开 FPEC 模块(即写入 KEY1 和KEY2) , 只有在写保护被解除后, 我们才能操作相关寄存器。 固件库中的函数为: 代码语言:javascript 代码运行次数:0 运行 AI代码解释 voidFLASH_Un
FlashHelperGetIndex(1);//1是索引,要和上面数组的下标保持一致. 3.设备重启以后获取先前存入的数据 1.在初始化存储函数后面直接用索引获取即可! 简要概括 1.实际上存数据就是把数据写到 flash_helper_struct.FlashHelperData 数组 然后调用 FlashHelperUpdate();函数刷新一下即可! 注意: flash_helper_struct.Flash...
Flash 读取 读取规则 Flash 是可直接寻址的存储器，读取数据无需特殊配置。使用指针按地址访问 Flash ...
1.1 FLASH的1页的擦除时间约为10-20ms,写一个字节的时间约几十us, 当应用程序是每1ms都要执行一个循环周期时,如果在保存数据换页时要擦除FLASH,显然会阻塞程序的执行,所以在应用程序有严格的实时性要求时,eeprom_emulate保存数据的方案显然不合适。 1.2 下图是检测到掉电后,进入掉电中断,置位某个管脚的波形图...
闪存状态寄存器(FLASH_SR) 查询闪存操作状态。 闪存地址寄存器(FLASH_AR) 存储闪存操作地址。 选项字节寄存器(FLASH_OBR) 选项字节中主要数据的映象。 写保护寄存器(FLASH_WRPR) 选项字节中写保护字节的映象。 键值 为了增强安全性,进行某项操作时,须要向某个位置写入特定的数值,来验证是否为安全的操作,这些数值称...
1.快速擦除和编程速度:STM32 Flash具有快速的擦除和编程速度,可以高效地进行数据存储和更新操作。 2.耐久性和可靠性:STM32 Flash的存储器具有良好的耐久性和可靠性,可以进行大量的擦除和编程操作,而不会影响存储器的寿命。 3.可擦除性:STM32 Flash存储器可以进行扇区或页级别的擦除操作,而无需将整个存储器擦...
RAM(Random Access Memory) :掉电之后就丢失数据,读写速度块ROM (Read Only Memory) :掉电之后仍然可以保持数据 SRAM属于RAM类,上面说过的的FLASH存储器又称闪存,它结合了ROM和RAM的长处,不仅具备电子可擦除可编程的性能,还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据。
3、对Flash进行操作(写入数据) 4、对Flash重新上锁 1.1 如何查找并选定要写入Flash十六进制地址值的方法 要想选定安全的Flash地址进行读写,可以根据自己的STM32 MCU型号,查找数据手册,确定FLASH的地址区段,因为起始段会存储代码,所以一定要避开起始段,以避免数据错误。(我一般是根据Flash大小计算Flash的最末尾地址,往...
快闪存储器(flash memory),是一种电子式可清除程序化只读存储器的形式,允许在操作中被多次擦或写的存储器。它是一种非易失性存储器,即断电数据也不会丢失。 二、STM32F1的Flash STM32F103ZET6的Flash大小为512KB,属于大容量产品。在中文参考手册中给出了大容量产品的Flash模块组织结构图 ...
STM32 芯片内部的 FLASH 存储器,主要用于存储我们代码。如果内部FLASH存储完我们的代码还有剩余的空间,那么这些剩余的空间我们就可以利用起来,存储一些需要掉电保存的数据。 本文以STM32103ZET6为例。STM32103ZET6属于大容量产品,其闪存模块组织如下: 其主存储器大小为512KB,分为256页,每页大小都为2KB。我们的程序...