1.1 FLASH的1页的擦除时间约为10-20ms,写一个字节的时间约几十us, 当应用程序是每1ms都要执行一个循环周期时,如果在保存数据换页时要擦除FLASH,显然会阻塞程序的执行,所以在应用程序有严格的实时性要求时,eeprom_emulate保存数据的方案显然不合适。 1.2 下图是检测到掉电后,进入掉电中断,置位某个管脚的波形图...
(我一般是根据Flash大小计算Flash的最末尾地址,往前推一段地址空间,在这里一般不会对代码中的数据产生覆盖等影响) 我此次操作Flash使用的MCU是STM32103C8T6,所以以该型号MCU为例进行描述: 在数据手册中,可以看到STM32103C8T6的flash起始地址是0x0800 0000(如下图所示),而STM32103C8T6的Flash大小为64K,可以计算出...
问题1：由于数组AD_Value中保存的是字数据，而目前所使用的nand flash K9F1G08U0E是8位的，因此，...
1.请用户自行修改Flash的大小和存储数据的页地址 2.默认最大存储20个数据(u16型),第一个和最后一个不可用,最大存储18个数据 请用户根据自己的需求修改! 3.把数据存储到Flash 4.关于存储的数据 用户把数据放到了数组 flash_helper_struct.FlashHelperData[XXX] 里面, XXX范围1-18. 然后调用一下刷新函数,数组...
FLASH地址中的数据和保存的数据一致。通过3.3V上电第一次读取数据是正确的；第二次直接掉电数据保存...
我用STM32做掉电检测，在检测到掉电后保存数据到flash，我已经检测到掉电了，而且已经进入PVD中断了，...
stm32f4discovery_fw\STM32F4-Discovery_FW_V1.1.0\Project\Peripheral_Examples\FLASH_Program 103的基本上差不多 注意一下，你的配置数据存放的地址不用包括在编译器link的范围之内，会出问题的。例如：告诉编译器：flash从0x80000开始，长度0x1000，你的配置数据的存放地址可从0x81000开始。这个地址...
17-1-数据处理思想和程序架构: 单片机stm32的flash保存数据优化方案(让擦写次数达到上百万至上千万次),程序员大本营,技术文章内容聚合第一站。
我项目上使用的STM32的Flash存储的数据,STM32的Flash可以反复擦写1万次左右, 由于项目上需要反复的操作Flash,一个小时就需要操作一次,如果每次都擦写, 这样算下来一年就擦写了 8760次,也就可以用 10000/8760 = 1.1年左右就坏掉了. 解决方案思想 1.首先大家需要知道,凡是数据是0xFF的地址,不需要再次擦除就可以写...
我项目上使用的STM32的Flash存储的数据,STM32的Flash可以反复擦写1万次左右, 由于项目上需要反复的操作Flash,一个小时就需要操作一次,如果每次都擦写, 这样算下来一年就擦写了 8760次,也就可以用 10000/8760 = 1.1年左右就坏掉了. 解决方案思想 1.首先大家需要知道,凡是数据是0xFF的地址,不需要再次擦除就可以写...