型号 STL120N4F6AG 技术参数 品牌: ST(意法) 型号: STL120N4F6AG 批号: 23+ 数量: 2250 制造商: STMicroelectronics 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: PowerFLAT-5x6-8 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 40 V Id-连续漏极电流: 55 A Rd...
STL120N4F6AG - 汽车级N沟道40 V、2.9 mOhm典型值、55 A STripFET F6功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封装, STL120N4F6AG, STMicroelectronics
Input Capacitance (Ciss@Vds):3.7nF@25V;Category:Transistors/Thyristors/MOSFETs;Drain Source Voltage (Vdss):40V;Power Dissipation (Pd):96W;Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):4V@250uA;Datasheet:STMicroelectronics STL120N4F6AG;Drain Source On Resistance (R
STL120N4F6AG - Automotive-grade N-channel 40 V, 2.9 mOhm typ., 55 A STripFET F6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package, STL120N4F6AG, STMicroelectronics
Quality:Original Goods;Brand:Original;Service:24 Hours Online;Warranty:90 Days;Datasheet:Please contact us;Series:Electronic Components Circuits;Condition:Original;Unit Price:Please contact us;Operating Temperature:Standard;Description:Integrated Circuit
汽车级N沟道40 V、1.27 mOhm典型值、120 A STripFET F6功率MOSFET,PowerFLAT 5x6双侧冷却封装 Order Direct 产品概述 描述 该器件是采用STripFET™ F6技术开发的N沟道功率MOSFET,具有新的栅极结构。因而,功率MOSFET在不同封装中都能呈现最低的RDS(on)。
功率晶体管 功率MOSFET N-沟道 (>30V 至 350V) STLD200N4F6AG STLD200N4F6AGNRND 储存到myST 汽车级N沟道40 V、1.27 mOhm典型值、120 A STripFET F6功率MOSFET,PowerFLAT 5x6双侧冷却封装 下载数据手册 Order Direct 概述 样片和购买 文件 CAD资源 工具与软件 质量与可靠性 产品...
汽车级N沟道40 V、1.27 mOhm典型值、120 A STripFET F6功率MOSFET,PowerFLAT 5x6双侧冷却封装 Order Direct 产品概述 描述 该器件是采用STripFET™ F6技术开发的N沟道功率MOSFET,具有新的栅极结构。因而,功率MOSFET在不同封装中都能呈现最低的RDS(on)。
STLD125N4F6AG - 汽车级N沟道40 V、2.4 mOhm典型值、120 A STripFET F6功率MOSFET,PowerFLAT 5x6双侧冷却封装, STLD125N4F6AG, STMicroelectronics