系列 STFW3N150 晶体管类型 1 N-Channel Power MOSFET 商标 STMicroelectronics 正向跨导 - 最小值 2.6 S 下降时间 61 ns 产品类型 MOSFET 上升时间 47 ns 工厂包装数量 300 子类别 MOSFETs 典型关闭延迟时间 45 ns 典型接通延迟时间 24 ns 单位重量 7 g 可售卖地
封装/外壳 TO-3P-3 整包 可售卖地 全国 类型 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 型号 STFW3N150 深圳市腾迅辉电子科技有限公司 简介深圳市 腾迅辉电子科技 有限公司 是一家专业的电子元器件现货销售商/ 分销商 , 公司设立国外采购部为客户面向全世界进行购 致力于世界著名电子产品在国内外的推广与...
起订数 100个起批 500个起批 1000个起批 发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 其他晶体管 商品关键词 STFW3N150、 ST(意法)、 TO-3PF 商品图片 商品参数 品牌: ST(意法) 封装: TO-3PF 批号: 23+ 数量: 88598 制造商: STMicroelectronics 产品种类: MOSFET RoHS: 是 ...
STFW3N150 场效应管 ST(意法) 封装TO-3PF 批次2023 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准。 特别提示:商品详情页中(含主图)以文字或者图片形式标注的...
STFW3N150参数 漏源电压(Vdss)1500V连续漏极电流(Id)(25°C 时)2.5A 栅源极阈值电压5V @ 250uA漏源导通电阻9Ω @ 1.3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C)63W类型N沟道 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V工作温度150°C(TJ) 不同Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)29.3nC @ 10V25°C 时电流 - 连...
STFW3N150 - N沟道1500 V、6 Ohm典型值、2.5 A PowerMESH(TM) 功率MOSFET,TO-3PF封装, STFW3N150, STMicroelectronics
STFW3N150产品技术参数 安装类型通孔 长度15.7mm 尺寸15.7 x 5.7 x 26.7mm 典型关断延迟时间45 ns 典型接通延迟时间24 ns 典型输入电容值@Vds939 pF@ 50 V 典型栅极电荷@Vgs29.3 nC @ 10 V 封装类型TO-3PF 高度26.7mm 晶体管材料Si 晶体管配置单 ...
系列: STFW3N150 晶体管类型: 1 N-Channel Power MOSFET 正向跨导 - 最小值: 2.6 S 下降时间: 61 ns 上升时间: 47 ns 典型关闭延迟时间: 45 ns 典型接通延迟时间: 24 ns 单位重量: 7 g 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买...
系列 STFW3N150 晶体管类型 1 N-Channel Power MOSFET 正向跨导 - 最小值 2.6 S 下降时间 61 ns 上升时间 47 ns 典型关闭延迟时间 45 ns 典型接通延迟时间 24 ns 单位重量 7 g 可售卖地 全国 型号 STFW3N150 PDF资料 电子管-场效应管-STFW3N150-ST/意法-TO-3PF-24+.pdf 下载 价格...
系列 STFW3N150 晶体管类型 1 N-Channel Power MOSFET 正向跨导 - 最小值 2.6 S 下降时间 61 ns 上升时间 47 ns 典型关闭延迟时间 45 ns 典型接通延迟时间 24 ns 单位重量 7 g 可售卖地 全国 型号 STFW3N150 PDF资料 电子管-场效应管-STFW3N150-ST/意法-TO-3PF-24+.pdf 下载 价格...