STF21N65M5-VB VBsemi/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 3. 复购率:8% 深度验商 ¥7.47成交0笔 上海市 ST意法半导体MOS管STF21N65M5STF21NM65M5全新原装TO-220F封装 复购率:40% 19年 24小时发货 ¥8.5成交0笔 深圳市 STF21N65M5进口全新原装 STF20NF20 库存现货 STF20NM65N-Y11 ...
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型号 STF21N65M5 技术参数 品牌: STM 型号: STF21N65M5 封装: NA 数量: 6000 制造商: STMicroelectronics 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: Through Hole 封装/ 箱体: TO-220-3 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 650 V Id-连续漏极电流: 17 A Rds On-漏源导...
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STF21N65M5是一款高压N沟道MOSFET,主要用于需要高电压和高功率处理的电子电路中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。 一、应用场景: 1. 开关电源:STF21N65M5作为主要的开关器件,用于转换和控制电源电压。其高耐压和低导通电阻特性使其适用于各种高效率的电源设计,能有效减少功率损耗,提高整体系统的可靠性和性能。
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STF21N65M5 由ST 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 digikeychip1stoptmeverical 等渠道进行代购。 STF21N65M5 价格参考¥ 21.5784 。 ST STF21N65M5 封装/规格: SOT78, MOSFET N-CH 650V 17A TO-220FP。你可以下载 STF21N65M5 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs...
STF21N65M5由ST(意法半导体)设计生产,立创商城现货销售。STF21N65M5价格参考¥15.19。ST(意法半导体) STF21N65M5参数名称:类型:1个N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):17A;导通电阻(RDS(on)):190mΩ@10V,8.5A;耗散功率(Pd):30W;阈值电压(Vgs(th)):5V
丝印代码:21N65M5 库存:541 Share: 对比产品 数量 加入BOM询价 在线询价 温馨提示: 请填写以下信息,以便客户代表及时与您沟通库存数量和价格回复结果。 发送询价 STF21N65M5 产品详情 N-channel MDmesh™ M5 Series, STMicroelectronics The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM...
600V,0.26Ω,13A,N沟道功率MOSFET STF18NM60N 更多代替型号 STMICROELECTRONICS STF21N65M5 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 650 V, 0.15 ohm, 10 V, 4 V STF21N65M5 更多代替型号 STMICROELECTRONICS STF8N65M5 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7 A, 650 V, 0.56 ohm, 10 V, 4 V ...