STD3NK80Z-1 中文资料规格参数 参数列表 搜索代替器件 技术参数 针脚数 3 漏源极电阻 3.8 Ω 极性 N-Channel 耗散功率 70 W 阈值电压 3.75 V 漏源极电压(Vds) 800 V 连续漏极电流(Ids) 1.25 A 上升时间 27 ns 输入电容(Ciss) 485pF @25V(Vds) ...
型号 STD3NK80Z-1 联系方式: 联 系 人: 贺小姐 电话: 0755-85280850 移动电话: 18370770637 13530682835 Q Q: 2276148036 1605003852 PDF资料 电子管-场效应管-STD3NK80Z-1-ST-TO-251-19+.pdf 下载 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买...
制造商编号STD3NK80Z1 制造商ST(先科) 唯样编号H-STD3NK80Z1 供货Verical代购 无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs 描述 数据手册 PDF资料下载 暂无数据 参数信息常见问题 参数有误? 技巧:勾选主要参数,留空一些可替代的参数,点击查看相似商品,即可快速找到替代品了!
阿里巴巴STD3NK80Z-1芯片 电机控制工业控制系统光伏逆变器芯片 渠道批发,集成电路(IC),这里云集了众多的供应商,采购商,制造商。这是STD3NK80Z-1芯片 电机控制工业控制系统光伏逆变器芯片 渠道批发的详细页面。品牌:ST/意法半导体,电源电压:-55°C ~ 150°C(TJ),规格
型号 STD3NK80Z-1 技术参数 品牌: ST 型号: STD3NK80Z-1 批号: 2020+ 封装: TO251 数量: 45800 QQ: 3007803260 制造商: STMicroelectronics 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: Through Hole 封装/ 箱体: TO-251-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 800 V Id-连续...
丝印代码:D3NK80Z 库存:42657 Share: 对比产品 数量 加入BOM询价 在线询价 温馨提示: 请填写以下信息,以便客户代表及时与您沟通库存数量和价格回复结果。 发送询价 STD3NK80Z-1 产品详情 The SuperMESH series is obtained through an extreme optimization of STs well established strip-based PowerMESH layout. In...
制造商: ST (意法半导体) 产品类别: 晶体管-FET,MOSFET-单个 商品描述: MOSFET N-CH 800V 2.5A IPAK 供货: 货期 工作日(7-10天) 渠道: 国内现货 digikey 服务: 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 客服: 立即咨询 询价 提示: 联系在线客服,获得更多STD3NK80Z-1价格库存等采购信息!
STD3NK80Z-1 - N-channel 800 V, 3.8 Ohm typ., 2.5 A SuperMESH Power MOSFET in IPAK package, STD3NK80Z-1, STMicroelectronics
STD4NK80Z-1 - N沟道800 V、2.7 Ohm典型值、3 A SuperMESH功率MOSFET,IPAK封装, STD4NK80Z-1, STMicroelectronics
STD3NK80ZT4 参数 Datasheet PDF下载型号: STD3NK80ZT4 PDF下载: 下载PDF文件 查看货源 内容描述: N沟道800V - 3.8 OHM - 2.5A TO- 220 / FP / DPAK / IPAK齐纳保护超网功率MOSFET\n [N-CHANNEL 800V - 3.8 OHM - 2.5A TO-220/FP/DPAK/IPAK ZENER-PROTECTED SUPERMESH POWER MOSFET ]...