STB140NF75T4电子元器件原装ic半导体芯片全新正品现货一站式配单 深圳市光格集成电路有限公司 9年 月均发货速度: 暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥8.00 全新原装 STB140NF75T4 丝印B140NF75 贴片TO-263 N沟道 120A 75V 深圳市彼信达科技有限公司 12年 月均发货速度: 暂无记录 广东 深圳市福田区...
品牌名称 VBsemi(微碧半导体) 商品型号 STB140NF75T4-VB 商品编号 C18212552 商品封装 TO-263 包装方式 管装 商品毛重 3.395克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个N沟道 漏源电压(Vdss)80V 属性参数值 ...
STB140NF75T4 功率MOSFET 图像仅供参考 请参阅产品规格 图片丝印不一定为本产品 对比推荐 制造商编号STB140NF75T4 制造商ST(意法半导体) 唯样编号N-STB140NF75T4 供货海外代购代购 无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs 描述 N-Channel 75 V 0.0075 O 160 nC Surface Mount STripFET™II MosFet - D2PAK...
不同Id时的Vgs(th)(最大值) : 4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) : 218nC @ 10V 不同Vds时的输入电容(Ciss) : 5000pF @ 25V 功率-最大值 : 310W 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装 : D2PAK...
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FET类型 : MOSFET N 通道,金属氧化物 FET功能 : 标准 漏源极电压(Vdss) : 75V 电流-连续漏极(Id)(25°C时) : 120A(Tc) 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值) : 7.5 毫欧 @ 70A,10V 不同Id时的Vgs(th)(最大值) : 4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) : 218nC @ 10V ...
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