唯样编号G-STB100N6F7 供货Arrow代购 无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs 描述 Single N-Channel 60 V 5.6 mOhm 30 nC 125 W Silicon SMT Mosfet - TO-263-3 数据手册发送到邮箱 PDF资料下载 STB100N6F7.pdf 参数信息常见问题 参数有误? 技巧:勾选主要参数,留空一些可替代的参数,点击查看相似商品,即可快速找到替代...
系列: STripFET™ F7 FET类型 : MOSFET N 通道,金属氧化物 FET功能 : 标准 漏源极电压(Vdss) : 60V 电流-连续漏极(Id)(25°C时) : 100A(Tc) 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值) : 5.6 毫欧 @ 50A,10V 不同Id时的Vgs(th)(最大值) : 4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) : 30nC @ 10V...
数据表 STB100N6F7.pdf IRF1407STRLPBF.pdf RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs 规格信息 Rds On(Max)@Id,Vgs - 7.8mΩ@78A,10V 漏源极电压Vds - 75V Pd-功率耗散(Max) - 3.8W(Ta),200W(Tc) 栅极电压Vgs - ±20V 电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V FET类型 - N-Channel 封装/外壳...
型号 STB100N6F7 IRF3808S 唯样编号 B-STB100N6F7 A-IRF3808S 制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies 供应商 富昌电子 唯样自营 分类 功率MOSFET 功率MOSFET 描述 Single N-Channel 60 V 5.6 mOhm 30 nC 125 W Silicon SMT Mosfet - TO-263-3 数据表 STB100N6F7.pdf IRF3808S.pdf RoHs...
唯样编号B-STB100N6F7A-IRFS7540PBF 制造商STMicroelectronicsInfineon Technologies 供应商富昌电子唯样自营 分类功率MOSFET功率MOSFET 描述Single N-Channel 60 V 5.6 mOhm 30 nC 125 W Silicon SMT Mosfet - TO-263-3N Channel 60 V 5.1 mO 160 W Surface Mount HexFet Power MosFet - D2PAK ...
型号STB100N6F7IRFS7762PBF 唯样编号B-STB100N6F7A-IRFS7762PBF 制造商STMicroelectronicsInfineon Technologies 供应商富昌电子唯样自营 分类功率MOSFET功率MOSFET 描述Single N-Channel 60 V 5.6 mOhm 30 nC 125 W Silicon SMT Mosfet - TO-263-3MOSFET N-CH 75V 85A D2PAK ...