StarRC寄生参数提取流程通常涉及以下步骤: 1.布局准备,通过压平图层并移除不必要的细节来准备IC布局。 2.网格生成,在布局上生成网格来定义电磁场仿真的几何形状。 3.电磁场仿真,使用StarRC中的全波求解器来计算电磁场并提取寄生参数。 4.后处理,对提取的寄生参数进行后处理,以去除不需要的效果并提高提取的准确性...
By investing in research and development in this area, semiconductor companiescan continue to innovate and improve the performance of integrated circuits for a wide range of applications.总之,寄生参数提取是半导体行业中一个复杂而重要的过程,需要先进工具和专业知识来准确分析和减轻电路中寄生元素的影响。通过...