ST/意法 场效应管 STGWA40N120KD IGBT 1200V 80A 240W TO247 STGWA40N120KD 9999 意法 TO247 14+ ￥35.0000元1~-- 个 深圳市嘉丁实业有限公司 2年 -- 立即订购 查看电话 QQ联系 STGW38IH130D 晶体管 33A -1300V very fast IGBT ...
st igbt stigbt 100000 连接器 -- ￥69.0000元>=1 个 深圳市禾为科技有限公司 4年 -- 立即询价 查看电话 QQ联系 意法ST全系列单片机 收购 IGBT模块终端回收公司 长期合作 益承电子 -- -- -- -- ￥999.0000元100~199 件 ￥888.0000元>=200 件 深圳市益承电子科技有限公司 2年 -- ...
ST单管IGBT命名规则: STG: WA: Available packagesA=D PAK*B=D PAKD=DPAKF=TO-220FPFW=TO-3PFP=TO-220W=TO-247WA=TO-247 long Leadsw...-4=TO-247-4WT=TO-3PYA =Max247 long Leads 50: MAX CONTINUOUS COLLECTORCURRENT @100C M: IGBT SERIESH 600V= Medium speed (8~ 30 kHz)H...B(...
华秋商城代理的IGBT芯片全系列,有ST(意法半导体)品牌芯片,都是华秋商城自营的正品现货IGBT芯片。 展示方式: 横向纵向 品牌 AOS(美国万代)Infineon(英飞凌)NCE(无锡新功率)ON(安森美)ROHM(罗姆)SPTECH(质超)ST(意法半导体)luxin-semi(上海陆芯)清除 封装/外壳 D²PAKTO-220-3TO-247-3TO-263(D²Pak)TO-...
意法半导体(STMicroelectronics,简称ST)推出全新M系列1200 V IGBT,以先进的沟栅式场截止技术(trench-gate fieldstop)为特色,有效提升太阳能逆变器(solar inverters),电焊机(welding equipment),不间断电源(uninterruptible power supplies)与工业电机驱动器等多项目标应用的能效和可靠性.导通,关断,采用标准,处理能力电子...
意法半导体利用其专有的沟槽场截止技术,提供适合定制设计的裸露晶片IGBT。裸露晶片IGBT提供不同的包装选项,例如,使用自粘箔纸包装晶圆或者采用卷带包装密封晶片。
ST offers a comprehensive portfolio of IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors) optimized for diverse application needs, such as industrial and automotive. Ranging from 300 to more than 1200 V, the IGBT devices are available as bare die as well as pack
产品种类 IGBT 晶体管 RoHS 是 封装/ 箱体 TO-247 安装风格 Through Hole 配置 Single 集电极—射极饱和电压 2.35 V 栅极/发射极最大电压 20 V Pd-功率耗散 283 W 最小工作温度 - 55 C 最大工作温度 + 175 C 系列 STGW40V60DF 栅极—射极漏泄电流 250 nA 单位重量 6.500 g 可售...
晶体管类型 IGBT 集射极击穿电压(VCEO) 650V 最大集电极电流(Icm) 375W 集电极—射极饱和电压 80A 特征频率 沟槽型场截止 最大耗散功率 375W 工作温度范围 -55°C ~ 175°C 应用领域 智能家居 可售卖地 全国 型号 STGW60H65DFB PDF资料 集成电路-其他集成电路-STGW60H65DFB-ST-TO-247...
以1140V全功率4.8MW风电为例,机侧额定输出电流2900A有效值,通常需要8个600A的SEMiX3p并联,如前文提到,市场上目前三电平IGBT模块最大并联数为4个,因此当使用SEMiX3p时需要2组2.xMW系统经过均流电抗器再并联使用;而当使用ST20时无需系统并联,单系统使用4个模块并联即可,只需要一半的驱动及连接电缆,同时降低了系...