亚阈值摆幅SS SS的物理意义:Ids电流每变化一个数量级所对应的Vgs变化量,用来评价Gate对TFT开态电流的控制能力。面板在低灰阶显示的时候DTFT工作在SS区,需要SS尽量大,即Ids变化小,避免低灰阶Mura。SS通常用定电流法提取,Ids=W/L*1nA和Ids=W/L*0.1nA对应的Vgs变化量 影响SS的因素:Nit界面缺陷态数量,Ntrap晶界...
SSTFT and vertical node contacts are major keys in the S~3 cell technology. The stacked single crystal silicon thin film is developed for load pMOS SSTFT of the S~3 SRAM cell. The load PMOS SSTFT is stacked on ILD to reduce the SRAM cell size. Fully working 64M-bits SRAM is ...
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