ESF1 In Production Grace ESF2 In Production 130 nm HHGrace ESF2 In Production GFS (BCD) ESF1 In Production 110 nm SMIC ESF3 Tested Silterra, SK Hynix, Vanguard ESF1 Tested HHGrace ESF2 In Production 90 nm TSMC ESF3 In Production ...
ESF2: 2nd Generation SuperFlash® Self-aligned cell 0.25u, 0.18 um and 0.11 um nodes >15 years of volume production Standalone, Embedded application, Automotive ESF3: 3rd Generation SuperFlash® Self-aligned Top coupling cell Scalable cell - 0.12u, 90 nm to 28 nm ...
SST26VF032BT-104I/SM Microchip微芯 存储器芯片 FLASH 32MBIT 8SOIJ SST26VF032BT-104I/SM 9百万 Microchip微芯 8-SOIC(0.209",5.30mm宽) 新批次 ￥9.4500元2100~-- 个 深圳市芯厘科技有限公司 2年 -- 立即订购 查看电话 QQ联系
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MICROCHIP 闪存FLASH 芯片IC 原装全新进口 工厂BOM表采购 批号 USBF129-I/SN、SST49LF008A-33-4C-EIE-T、USBF4100T-I/NPVAO、USBF129T-I/SNVAO、SST39VF800A-70-4I-B3KE、SST39VF6401B-70-4I-EKE、SST39VF800A-70-4C-MAQE-T、SST39VF6402B-70-4C-EKE、SST39WF400A-90-4I-ZKE、SST39WF800...
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If SPIE =1 and ES =1, an interrupt is then generated. This bit is cleared by software. WCOL Write Collision Flag. Set if the SPI data register is written to during data transfer. This bit is cleared by software. ©2011 Silicon Storage Technology, Inc. DS25087A 29 10/11 FlashFlex ...
内置超级 FLASH 存储器的单片机 SST89E5XXRD 工作电压 VDD=4.55.5V 5 伏工作电压时 040MHz 的频率范围 SST89V5XXRD 工作电压 VDD=2.73.6V 在 3 伏工作电压下,原厂保证 025 MHz 的工作频率 ,实际最高可达 40MHz 与现行的 80C52 列单片机硬件 PIN-TO-PIN 完全兼容,软件、开发工具也完全 兼容 1K*8 的...
SST26WF040B/040BA SST26WF080B/080BA 1.8V 4 Mbit and 8 Mbit Serial Quad I/O (SQI) Flash Memory Features • Single Voltage Read and Write Operations - 1.65-1.95V • Serial Interface Architecture - Mode 0 and Mode 3 - Nibble-wide multiplexed I/O's with SPI-like serial command ...
SST25VF020B-80-4I-SAE-TSPI系列闪存采用SST专有技术制造,高性能CMOS SuperFlash®技术。分裂栅细胞设计和厚氧化物隧道喷油器达到较好的效果与其他方法相比,可靠性和可制造性。 SST25VF020B-80-4I-SAE-T器件显著提高了性能和可靠性,同时降低了功耗。设备写入(程序或擦除)与SST25VF020B单路供电2.7V-3.6V。