GraceESF2In Production 130 nmHHGraceESF2In Production GFS (BCD)ESF1In Production 110 nmSMICESF3Tested Silterra, SK Hynix, VanguardESF1Tested HHGraceESF2In Production 90 nmTSMCESF3In Production SMICESF3 65 nmSamsungESF3In Production 55 nmTSMCESF3In Production ...
ESF2: 2nd Generation SuperFlash® Self-aligned cell 0.25u, 0.18 um and 0.11 um nodes >15 years of volume production Standalone, Embedded application, Automotive ESF3: 3rd Generation SuperFlash® Self-aligned Top coupling cell Scalable cell - 0.12u, 90 nm to 28 nm ...
SST25LF040A-33-4C-S2AE 全新原装 封装SOP8 SST超捷FLASH存储器 深圳市金百纳电子有限公司 15年 月均发货速度: 暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥4.00 SST25LF040A-33-4C-S2AE SOIC8 原厂存储器 全新原装正品 深圳市桓鑫丰科技有限公司 10年 月均发货速度: 暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥...
SST39SF020A-70-4C-PH DIP-32 NOR FLASH存储器芯片IC 全新原装 深圳市源捷芯科技有限公司1年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥6.00 SST39SF020A-70-4C-PHE DIP32 原装正品 深圳尊华创电子有限公司5年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市福田区 ...
让开发工程师省掉编程器. 9. 程序和数据存储空间互补利用,用户程序剩下的 FLASH 空间,均可作为数据存储.超级灵活 SST MCU 内部 FLASH 存储空间的三种用法示意图 11FFFH 8K 用户程序 0FFFFH 64K CODE 用户程序 11FFFH 8K DATA 数据存储 48K DATA 64K 用户程序 6K DATA 数据存储 1FFFH 数据存储 0800H 2K ...
If SPIE =1 and ES =1, an interrupt is then generated. This bit is cleared by software. Write Collision Flag. Set if the SPI data register is written to during data transfer. This bit is cleared by software. WCOL ©2006 Silicon Storage Technology, Inc. S71255-05-000 5/06 29 Flash...
厂商: SST 封装: 描述: SST89E52RD2-33-C-QJE1 - FlashFlex51 MCU - Silicon Storage Technology, Inc 数据手册:下载SST89E52RD2-33-C-QJE1.pdf立即购买 数据手册 价格&库存 SST89E52RD2-33-C-QJE1 数据手册 FlashFlex51 MCU SST89E52RD2/RD / SST89E54RD2/RD / SST89E58RD2/RD SST89V52...
SST26WF040B/040BA SST26WF080B/080BA 1.8V 4 Mbit and 8 Mbit Serial Quad I/O (SQI) Flash Memory Features • Single Voltage Read and Write Operations - 1.65-1.95V • Serial Interface Architecture - Mode 0 and Mode 3 - Nibble-wide multiplexed I/O's with SPI-like serial command ...
存储器SST39LF040-55-4C-NHE PLCC-32(11.4x14) NOR FLASH可开票 深圳市福田区高诚微电子商行1年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市 ¥5.00 SST39LF040-55-4C-NHE-T SST39SF020A-55-4I-NHE PLCC-32原装正品 仙芝科技(深圳)有限公司3年 月均发货速度:暂无记录 ...
SST25VF020B-80-4I-SAE-TSPI系列闪存采用SST专有技术制造,高性能CMOS SuperFlash®技术。分裂栅细胞设计和厚氧化物隧道喷油器达到较好的效果与其他方法相比,可靠性和可制造性。 SST25VF020B-80-4I-SAE-T器件显著提高了性能和可靠性,同时降低了功耗。设备写入(程序或擦除)与SST25VF020B单路供电2.7V-3.6V。