对NAND FLASH读写数据的操作主要涉及擦除(Erase)、编程(Program)和读(Read),其中编程和读的基本操作单位是Page,擦除的基本操作单位是Block。在写入一个Page之前,必须要擦除这个Page所在的整个Block。因此在写入某个Page时,需要把Block中其他有效的数据拷贝到新的存储空间,从而把原先的整个Block擦除,这一过程称为垃...
简而言之,P就是Program(编程),E就是Erease(擦除),1次P/E就代表着一定量的闪存被擦除1次。因为闪存是必须擦除后才能重新写入的(这一点和机械硬盘有着本质区别),所以P/E次数也就可以说明闪存的寿命,例如,一个非常普遍的说法,TLC是1000次P/E,意思就是TLC闪存在写入、擦除重复大概1000次后报废。具体的P/E...
我们可以对SSD的后端(从主控到NAND的带宽)进行计算,通常一个控制器有8-16个连接NAND芯片的channel,每个Channel上可连接16个NAND芯片来算,后端总共可以使能16*16=256个NAND Die同时做program操作,如果TLC的标准Program时间是2.5ms,一次写入的数据量是2plane * 3 (TLC) *16KB = 96KB数据,则每秒钟可以写入9.375GB的...
用四个状态描述一个page,invalid:开始状态,无法读写,需要被erase;erased:被erase的状态,可被program;valid:被program后的状态,可被读。下面是一个简单的例子: 下面介绍一个详细的例子,假设在一个 4 页块内有以下四个 8 位页; 每个页面都是valid,因为每个页面都已预先被program。 现在假设我们希望写入第 0 页...
NAND寿命的量化指标为P/E Cycles,也就是写入/擦除(Program / Erase)次数,一写一擦就会消耗NAND的1个P/E。根据NAND厂商的要求,在P/E耗尽之前,NAND应满足以下特征: NAND在正常工作温度下仍能保持要求的RBER(原始比特错误率) NAND剩余的好块个数可继续满足其参数规格 ...
SSD 擦除写入的次数也叫做 P/E 周期( program/erase cycle),由于 P/E 周期是有限的,所以假设SSD其中数据总是从同一个精确的块中读取和写入,那么这块 Block 很快就达到了使用寿命的上限,SSD控制器会将其标记为不可用。然后磁盘的整体容量会下降。
每个Block都是有寿命(Program/Erase Count,P/E值)的,他们的擦除次数是有限的。NAND Flash的寿命类似“木桶原理”,取决于所有Block中的最小寿命。如果拼命对某一块进行擦除,NAND Flash的寿命将会被缩减到最小。所以引入了磨损平衡,平衡所有Block的擦除次数。
Program/Erase Error:闪光单元编程错误的数量(例如,无法从复制过程中即将被垃圾收集的块对闪光单元进行编程) Annual Replacement Rate (ARR):设备故障数除以设备年数 前四个健康指标的读数有严重的偏差,其中零占有效记录的绝对多数(例如,关键警告的99.97%)。因此,同时列出了平均值和中值(即平均值/中值)。
每个Block都是有寿命(Program/Erase Count,P/E值)的,他们的擦除次数是有限的。NAND Flash的寿命类似“木桶原理”,取决于所有Block中的最小寿命。如果拼命对某一块进行擦除,NAND Flash的寿命将会被缩减到最小。所以引入了磨损平衡,平衡所有Block的擦除次数。
Erase/ProgramSuspension是1y以及3D Flash提供的一个新的命令接口。该命令可以在Erase/Program操作过程中将其暂停,然后执行其他的操作,并在某个时间重启之前暂停的操作。这篇文章将简述这种Suspension操作对SSD性能改善所起到的作用。 Erase/Program操作对SSD读性能的影响 ...