PB5540 贴片三极管PBSS5540Z双极结型晶体管 SOT223封装 深圳市智汇芯源科技有限公司1年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市 ¥0.20 供应PBSS5540ZSOT-223封装 贴片MOS场效应管全新现货 深圳市科嘉华电子有限公司1年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市 ...
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PBSS5540ZF由Nexperia(安世)设计生产,立创商城现货销售。PBSS5540ZF价格参考￥1.1384。Nexperia(安世) PBSS5540ZF参数名称:晶体管类型:PNP;集电极电流(Ic):5A;集射极击穿电压(Vceo):40V;耗散功率(Pd):2W;直流电流增益(hFE):250@500mA,2V;特征频率(fT):120MHz;
PBSS5540X,135 Nexperia 通用三极管 参数信息 制造商 Nexperia 制造商编号 PBSS5540X,135 商品目录 通用三极管 封装/外壳 SOT89 FET类型 P-Channel 功率 2.5W 特征频率fT 60MHz 尺寸 4.5 x 2.5 x 1.5 最大直流电集电极电流 -10 直流电流增益hFE 250 集电极-发射极最大电压VCEO -40V 集电极-射极饱和电压...
PBSS5540Z,115 Nexperia 通用三极管 参数信息 制造商 Nexperia 制造商编号 PBSS5540Z,115 商品目录 通用三极管 封装/外壳 SOT223 FET类型 P-Channel 功率 2W 特征频率fT 60MHz,120MHz 尺寸 6.5 x 3.5 x 1.65 最大直流电集电极电流 -10 直流电流增益hFE 350,250 集电极-发射极最大电压VCEO -40V 集电极-射...
系列 PBSS5540Z 包装 卷 零件状态 在售 晶体管类型 PNP 最大电流-集电极(Ic) 5 A 电压-集射极击穿(最大值) 40 V 不同Ib、Ic时Vce饱和压降(最大值) 160mV @ 200mA,2A 电流-集电极截止(最大值) 100nA(ICBO) 不同Ic、Vce时最小DC电流增益(hFE) 150 @ 2A,2V 功率-最大值 2 W ...
PBSS5540X PNP transistors(BJT) -40V -4A 60MHz 250 -375mV/-0.375V SOT-89/SC-62 marking P1G medium power driver/DC-DCconvertor/strobe flash Inventory:11877Min Order:10 Parameters Related model
Parameters: Model:PBSS5540Z Manufacturer:HUABAN Date Code:nopb 05+NOPB1700 Standard Package:1000 Min Order:10 Mark/silk print/code/type:5540 Package:SOT-223/TO-261AA×Online inquiry: * From: To: ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED Product: PBSS5540Z *Title: Message: *Code: ...
部件名PBSS5540Z 下载PBSS5540Z下载 文件大小150.69 Kbytes 页9 Pages 制造商NXP [NXP Semiconductors] 网页http://www.nxp.com 标志 功能描述40 VlowVCEsatPNPtransistor DESCRIPTION PNP low VCEsat transistor in a SOT223 plastic package. NPN complement: PBSS4540Z. ...
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 三极管 、 双极晶体管/BJT 商品关键词 PBSS5540Z、 TY/台湾半导体、 SOT-223 商品图片 商品参数 品牌: TY/台湾半导体 封装: SOT-223 批号: 新批号 数量: 80000 晶体管类型: NPN 最大集电极电流(Icm): 标准 集电极—射极饱和电压: 标准 电流放大系数(...