v2 = raw_data['/net2 Y'] v1_array = np.array(v1) v2_array = np.array(v2) x = v1_array/1.414+ v2_array/1.414y = -v1_array/1.414+ v2_array/1.414x1 = x[::-1] diff = x - x1 pyplot.plot(-y,x) pyplot.plot(y,x) pyplot.plot(y,diff) Max =max(diff)print(Max)"""...
文章分类 - VLSI project,设计一个6x5的SRAM,对其进行前后仿真。 【SRAM】SRAM 计算SNM(statistics noise margin) 摘要:我的Modern Memory Device的期末作业,选题为SRAM与它的SNM(静态噪声容限),我觉得这个没啥技术含量,纯粹凑数用的。但是在网上找到里一个测试静态噪声容限的方法。可以试一试。 python代码如下 # -...
计算SNM:根据电压传输特性和噪声响应,计算静态噪声容限。 3. Matlab代码示例 以下是一个简单的Matlab代码示例,用于模拟SRAM单元的电压响应并计算SNM: matlab % Matlab代码示例: SRAM静态噪声容限计算 clc; clear; close all; % 定义SRAM单元的电压传输特性(示例数据,需要根据实际情况调整) v_threshold = 0.5; % 阈...
通过修改 6T SRAM 位单元中的存取晶体管(参见图 9.a),我们发现使用 pMOS 存取晶体管(红线)时,读取静态噪声裕度 (SNM) 为 100mV,而使用 nMOS 晶体管(黑线)时为 90mV。不过,pMOS 晶体管的写入能力较低。随着节点 QB 放电和 Vgs 下降,当 QB 降到阈值电压以下时,晶体管会减弱并关闭,从而导致 FS 角的写入...
通过测量SNM,可以图形来大致计算得到这个值,下图是单边的电压传输曲线 具体做法就是在同一坐标系作出存储单元的两个反相器的电压传输特性曲线,X/Y的单位都是电压,最后图中正方形的对角线长就是最大的噪声容限 最后可以得到以下结论: SNM的电压特性,SNM随VDD的下降而下降 ...
与二值SRAM的蝶形曲线相比,三值SRAM的蝶形曲线具有更多的正方形,最小正方形的对角线限定三值SRAM的SNM。图3中T1管不是反相器中的一部分,而是在数据通过T10管写入时,控制两个反相器交叉耦合与否,确保数据有效写入,提高三值SRAM的稳定性和SNM。三值SRAM的数据通过T8和T9管读出,读操作过程中三值SRAM的信号并未...
通过修改 6T SRAM 位单元中的存取晶体管(参见图 9.a),我们发现使用 pMOS 存取晶体管(红线)时,读取静态噪声裕度 (SNM) 为 100mV,而使用 nMOS 晶体管(黑线)时为 90mV。不过,pMOS 晶体管的写入能力较低。随着节点 QB 放电和 Vgs 下降,当 QB 降到阈值电压以下时,晶体管会减弱并关闭,从而导致 FS 角的写入...
25、读稳定性,SNM越大,抗噪声越强, 单元内部数据越不容易受破坏。写稳定性指外部向存储单元写入新数据的难易程 度。写操作:如图2-8所示,首先位线BL和BLB被充到高电平,然后新数据写 入,之后字线 WL变为高电平有效。假设新数据写入之前 Q节点电压为“ 1”, Q节点电压为“ 0”。写入的新数据将BLB上的电平...
将以往RTN分析式未考虑的陷阱时间常数和能量作为参数进行了导入。该计算方法不进行严密的电路模拟,只进行概率的计算和振幅的加算。 该公司为了获得SRAM中RTN所致误操作的发生概率,对6个晶体管构成的组件使用了此次了模拟方法,并根据结果算出了作为SRAM工作稳定性指标的SNM(Static Noise Margin)的变化量。对40nm工艺...
将以往RTN分析式未考虑的陷阱时间常数和能量作为参数进行了导入。该计算方法不进行严密的电路模拟,只进行概率的计算和振幅的加算。因此,可在实用时间内进行模拟。 该公司为了获得SRAM中RTN所致误操作的发生概率,对6个晶体管构成的组件使用了此次了模拟方法,并根据结果算出了作为SRAM工作稳定性指标的SNM(StaticNoise ...