通过将纠错算法和隐私放大算法相结合,一个1kByte的 SRAM PUF响应可以变成一个256位的均匀随机密钥,而一个完全随机的128位密钥只需要大约0.5kByte。一个典型的SRAM PUF包含如此大的熵---只需要几十个字节即可为电子芯片提供全球无冲突的唯一标识符,用作唯一(但有噪)的电子芯片ID (ECID) 或序列号。 客户的专门...
These prerequisites make PUF characterization process a very time-consuming and expensive task. Our work presents a dataset for the study of SRAM-based PUFs on microcontrollers; it includes full SRAM readouts along with internal voltage and temperature sensors of 84 microcontrollers of STM32 type. ...
an SRAM Physical Unclonable Function (PUF)-based Key Provisioning System. CITADEL provides unparalleled strength, flexibility and affordability in a package that includes hardware or software IP, manufacturing tools and an
SRAM PUF: 安全的硅指纹 ByNathalie Bijnens,Sr. Product Manager &Vincent van der Leest, Sr Product Marketing 主页 Synopsys IP 技术公告 要实现经济有效的安全系统,低成本、强大的密钥存储技术至关重要 多年来,芯片物理不可克隆功能(PUF)一直被视为一种有前途的创新安全技术,并且不断取得进展。时至今日,基于...
物理不可克隆功能(PUF)的概念 • PUF提供了一种验证电子设备或芯片,并利用其不可克隆的硅指纹生成加密密钥的方法。 • 它利用制造过程中不可控的深亚微米变化来获得稳定的、不可克隆的设备唯一标识。 SRAM PUF 技术的优势 · 无需编程加密或从外部获取熵。
SRAM PUF主要原理是基于静态随机存储器(SRAM)的特性,SRAM是一种常见的存储器类型,用于存储数据和程序,但不会持久化存储,即断电就会清除数据。SRAM PUF的独特性质在于,即使相同的SRAM单元集成在不同的芯片上,在上电的时候也会表现出微小的差异,这些差异可以用于生成唯一的密钥或标识符。
介绍了模糊提取器的密钥提取方法, 通过在静态随机存取存储器(SRAM)-PUF芯片中加入里德-所罗门(RS)硬解码, 在认证系统中加入BCH软解码模块, 纠正PUF在一定范围内变化来确保通过认证, 并对SRAM-PUF电路在三温下进行实验分析。实验结果表明, SRAM-PUF电路的PUF点分布有较好的均衡性, 在常温时可靠性接近100%, 在...
台湾,2024 年 10 月 15 日── 力旺电子今宣布与西门子连手推出突破性的 SRAM 修复工具。该解决方案将西门子的Tessent™ MemoryBIST软件与 eMemory的NeoFuse OTP整合,主要应对具高密度SRAM之先进AI SoC的需求。 当今的AI芯片对于配备AI语言模型、数据处理器(DPU)和静态随机存取内存内运算(SRAM-based CIM) 架构...
functionsandtheiradvantagesanddisadvantages.BasedonthefunctionofexistingPUF (PhysicalUnclonableFunctions),whichpreventinginformationfromphysicalattacks,this paperproposedanon-chipSRAMPUF(StaticRandomAccessMemoryPUF)system securitykeygenerationmethod,itusespowerupcharacteristicsofSRAMthatintegratedon theCPUextractingsystemsecuri...
inHIS(HardwareIntrinsicSecurity)technique,whichisSRAMPUF.Ononehand,we proposeaPSNMmodelforSRAMcellwhenusedasPUFbasedononeofthestability indicesfortraditionallyusedSRAMcell,namedSNM.Ontheotherhand,usingthe relationshipofenergyandentropyinthermodynamicsforreference,weproposedanidea thatthereexistingacertainrelationship...