SRAM(静态随机存取存储器)和DRAM(动态随机存取存储器)的主要区别: 1. **集成度**:SRAM每个存储单元由4-6个晶体管构成,结构复杂、集成度低;DRAM每个单元仅需1个晶体管和1个电容,结构简单、集成度高,因此选项C(集成度不同)正确。 2. **极性(A/B)**:极性与存储单元的工作机制无直接关联,属于干扰项。 3....
1. 存储单元结构不同:SRAM使用触发器,DRAM使用电容;2. 刷新需求不同:DRAM需定期刷新,SRAM不需刷新;3. 容量与成本:DRAM集成度高、容量大、成本低,SRAM相反;4. 速度与功耗:SRAM速度快、功耗高,DRAM速度慢、功耗低 判断题目完整且有解后,进行知识点拆解: 1. **存储结构**:SRAM通过双稳态触发器存储数据(6晶...
SRAM的访问速度通常比DRAM快。这是因为SRAM的数据状态稳定,不需要刷新等待时间,因此可以更快地响应读写请求。 相比之下,DRAM的访问速度相对较慢。每次读写操作前,DRAM可能需要等待刷新周期结束,这会增加额外的延迟。 三、容量与成本 SRAM的集成度相对较低,相同面积下可以存储的数据量较少,因此其内存容量通常较小。...
SRAM和DRAM作为两种常见的随机存取存储器类型,在概念、数据结构、性能特征及应用领域上存在显著的区别。SRAM以其高速的数据访问速度和稳定性著称,适用于需要快速数据处理的场景;而DRAM则以其高集成度和低成本在大容量存储领域具有显著优势。在实际应用中,许多计算机系统都会同时使用SRAM和DRAM来满足不同的需求。 随着科技...
结构不同(SRAM使用触发器,DRAM使用电容);速度不同(SRAM更快);是否需要刷新(DRAM需定期刷新,SRAM无需);容量与成本(DRAM集成度高成本低,SRAM反之) 1. **结构差异**:SRAM每个存储单元由4-6个晶体管构成触发器,DRAM每个单元仅用1个晶体管和电容。2. **速度对比**:SRAM直接通过电流读写,访问速度通常在纳秒级;...
D 答案:D 解析:SRAM和DRAM都是不可擦写的随机存储器,二者的主要区别在于存储方式不同。SRAM是静态随机存取存储器,存储电荷不消失,读写速度快,但集成度低,存储容量较小;DRAM是动态随机存取存储器,存储电荷会逐渐消失,需要不断刷新,读写速度慢,但集成度高,存储容量大。反馈...
SRAM 和 DRAM 之间的主要区别 SRAM是访问时间短的片上存储器，DRAM是访问时间长的片外存储器。因此 SRAM 比 DRAM 快。DRAM 的存储容量更大，而 SRAM 的尺寸更小。SRAM很贵，而 DRAM 很便宜。高速缓冲存储器是SRAM的一种应用。相反，DRAM用于主存储器。DRAM高度密集。相反，SRAM 比较少见。由于使用了大量的晶体...
DRAM 和 SRAM 主要有以下一些区别：速度：SRAM 速度快，DRAM 相对较慢。集成度：DRAM 集成度高，可以在较小的空间内存储更多数据；SRAM 集成度较低。成本：DRAM 成本较低，SRAM 成本较高。刷新：DRAM 需要定期刷新来保持数据，SRAM 则不需要刷新。功耗：一般情况下，SRAM 的功耗相对较高，DRAM 功耗较低。应用...
SRAM与DRAM的区别 在计算机存储系统中,静态随机存取存储器(SRAM)和动态随机存取存储器(DRAM)是两种常见的内存类型。尽管它们都属于RAM(随机存取存储器),但在工作原理、性能、功耗以及成本等方面存在显著差异。以下是对这两种内存类型的详细比较: 1. 工作原理 SRAM: SRAM使用六个晶体管来存储一个比特的数据(即“1”...