1:可以通过查询SR332标准里的表得出;继续用上面提及的普通定值电容,我们再把之前的截图再放一次如下图,注意图中黄色框框部分,这里指代该普通定值电容温度应力匹配等级为“1”,通过查询SR332 ISSUE3 Table 9-1如下第二张图可见“1”列对应的不同温度等级下的πT值;例如40度等级时,该电容的πT=1;30度时该电容...
Issue3,January2011 TelcordiaTechnologies,Inc.—EnterpriseLicenseRestrictions. ThisdocumentisavailableonlyviaanEnterpriseLicense(EL),and canonlybesharedamongtheELlicenseesofthisdocument. ViolatorsoftheELagreementmaybesubjecttodamagesfor breachoftheELagreementandforcopyrightinfringement. ...
1.新标准(SR-332Issue3)多了σSSi和σSS两个参数,使用公式和MTBF的计算方法还可以跟以前一样吗(SR-332Issue1)? 2.新标准section7多了7-1;7-2;7-3;7-4这几个公式,这几个公式评估的是哪一方面的啊? [quote][url=home.php?mod=space&uid=2407]@morrison[/url]2楼 你的問題應該是SR332Issue1(2001...
For example: Telcordia SR-332, Issue 3, operating temperature (40°C), electrical stress (50%), and environmental factor (1.0). 出版平均故障间隔时间(平均无故障时间)或失败的每 10 亿小时器件(FIT ), 息息相关的推荐的方法和假设应当明确说明(即,引用文档和问题,加上环境和 温度条件,应考虑)。例如...
SR332 Issue 4, March 2016 目录 • 1 引言 • 2 电子设备可靠性预计 • 3 器件稳态失效率预计 • 4 器件早期寿命因子预计 • 5 部件失效率预计 • 6 系统可靠性 • 7 失效率置信度上限 • 8 器件参数 • 9 失效率因子 II-VI Proprietary Page 2 1 引言 • 1.1 目的和范围 – 为...
ಘԦ㊫ර⍻䟿৲ᮠ Gi(issuel)m EaʌSi(ᓄ࣋ഐᆀ)ʌTi(ᓖഐᆀ)MOSFET ssi=¬Gi ʌ4i ʌSi ʌTi ʌ(i ID(Actual)T Vds (Actual)20˄Swith˅,40˄Linear˅ 0.0240.22EXP(0.024*((ID*ID/RDS(ON)*100/PD)-50))EXP((0.22/0.0000862)*(1/ (...
.3570.4080.4590.56100.70ಘԦ㊫රMOSFETICTransistorssi=¬Giʌ4iʌSiʌTi ʌ(issi=¬Giʌ4iʌTi ʌ(issi=¬Giʌ4iʌSiʌTi ʌ(iID(Actual)⍻䟿৲ᮠTTVceo(Operate) TVds(Actual) Gi(issuel)20˄Swith...
本文以军用标准GJB/Z 299C-2006和商用标准Telcordia SR-332 Issue4 2016为代表进行分析。为了方便下文介绍,后文以基本可靠性模型为例。 元器件计数法和应力法的对比 GJB/Z 299C和SR-332预计标准均主要针对元器件应力法进行介绍。 元器件计数法一般用于产品研制阶段的早期,此时已进行了初步的设计,形成了产品的功能...
本文以军用标准GJB/Z 299C-2006和商用标准Telcordia SR-332 Issue4 2016为代表进行分析。为了方便下文介绍,后文以基本可靠性模型为例。 元器件计数法和应力法的对比 GJB/Z 299C和SR-332预计标准均主要针对元器件应力法进行介绍。 元器件计数法一般用于产品研制阶段的早期,此时已进行了初步的设计,形成了产品的功能...
SR332Issue4,March2016 目录 •••••••••1引言2电子设备可靠性预计3器件稳态失效率预计4器件早期寿命因子预计5部件失效率预计6系统可靠性7失效率置信度上限8器件参数9失效率因子 II-VIProprietaryPage2 1引言 •1.1目的和范围 –为预计器件(device)，部件(unit)和串联系统硬件(serialsystem...