Issue3,January2011 TelcordiaTechnologies,Inc.—EnterpriseLicenseRestrictions. ThisdocumentisavailableonlyviaanEnterpriseLicense(EL),and canonlybesharedamongtheELlicenseesofthisdocument. ViolatorsoftheELagreementmaybesubjecttodamagesfor breachoftheELagreementandforcopyrightinfringement. ...
对第一个问题:通过查SR332_Issue3 标准可见,对于单个标准LED,其基础失效率为0.25,标准偏差为0.18. 332标准截图如下: 那么对于14个LED,如何得出其总体标准偏差值呢?通过查询SR332_Issue3标准,运用公式6-2,得出总体标准偏差为根号下(0.18^2*14)=0.673498. 对于第二个问题:90%置信度下的总体失效率分析,查询SR332...
1:可以通过查询SR332标准里的表得出;继续用上面提及的普通定值电容,我们再把之前的截图再放一次如下图,注意图中黄色框框部分,这里指代该普通定值电容温度应力匹配等级为“1”,通过查询SR332 ISSUE3 Table 9-1如下第二张图可见“1”列对应的不同温度等级下的πT值;例如40度等级时,该电容的πT=1;30度时该电容...
Issue3,January2011 UpdatedFebruary2011 TelcordiaTechnologies,Inc.—EnterpriseLicenseRestrictions. ThisdocumentisavailableonlyviaanEnterpriseLicense(EL),and canonlybesharedamongtheELlicenseesofthisdocument. ViolatorsoftheELagreementmaybesubjecttodamagesfor breachoftheELagreementandforcopyrightinfringement. ...
.3570.4080.4590.56100.70ಘԦ㊫රMOSFETICTransistorssi=¬Giʌ4iʌSiʌTi ʌ(issi=¬Giʌ4iʌTi ʌ(issi=¬Giʌ4iʌSiʌTi ʌ(iID(Actual)⍻䟿৲ᮠTTVceo(Operate) TVds(Actual) Gi(issuel)20˄Swith...
1 Introduction 1 简介 This section details the purpose and scope of the Reliability Prediction Procedure (RPP) and indicates changes from the previous issue (SR-332, Issue 2, September 2006). 本节详细的目的和范围的可靠性预计程序(RPP ),表明变化从先前的刊号 (sr-332,2 期,2006 年九月)。 1.1...
ಘԦ㊫ර⍻䟿৲ᮠ Gi(issuel)m EaʌSi(ᓄ࣋ഐᆀ)ʌTi(ᓖഐᆀ)MOSFET ssi=¬Gi ʌ4i ʌSi ʌTi ʌ(i ID(Actual)T Vds (Actual)20˄Swith˅,40˄Linear˅ 0.0240.22EXP(0.024*((ID*ID/RDS(ON)*100/PD)-50))EXP((0.22/0.0000862)*(1/ (...
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本文以军用标准GJB/Z 299C-2006和商用标准Telcordia SR-332 Issue4 2016为代表进行分析。为了方便下文介绍,后文以基本可靠性模型为例。 元器件计数法和应力法的对比 GJB/Z 299C和SR-332预计标准均主要针对元器件应力法进行介绍。 元器件计数法一般用于产品研制阶段的早期,此时已进行了初步的设计,形成了产品的功能...
本文以军用标准GJB/Z 299C-2006和商用标准Telcordia SR-332 Issue4 2016为代表进行分析。为了方便下文介绍,后文以基本可靠性模型为例。 元器件计数法和应力法的对比 GJB/Z 299C和SR-332预计标准均主要针对元器件应力法进行介绍。 元器件计数法一般用于产品研制阶段的早期,此时已进行了初步的设计,形成了产品的功能...