通用MOSFET TO-263 -55℃~175℃ -93A 19mΩ@-30A,-10V -100V 375W ±20V P-Channel 车规 图像仅供参考 请参阅产品规格 图片丝印不一定为本产品 对比推荐 制造商编号SQM100P10-19L_GE3 制造商Vishay(威世) 授权代理品牌 唯样编号G-SQM100P10-19L_GE3 ...
SQM100P10-19L_GE3-VB 询价 品牌:VBsemi 型号: 商品编号: 封装规格: TO263 商品描述: TO263;P—Channel沟道;-100V;-100A;RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=13mΩ@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=-2V; 商品详情 商品介绍 TO263;P—Channel沟道;-100V;-100A;RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V;RDS(ON...
SQM100P10-19L_GE3 产品详情 Id-连续漏极电流 : 93 A Pd-功率耗散 : 375 W Qg-栅极电荷 : 350 nC Rds On-漏源导通电阻 : 15.5 mOhms Vds-漏源极击穿电压 : 100 V Vgs - 栅极-源极电压 : 20 V Vgs th-栅源极阈值电压 : 2.5 V
价格有优势,SQM100P10-19L_GE3国内现货当天可发货。 联系:18028728293(微信同号) Q:16845050
SQM100P10-19L_GE3制造商: VISHAY 所属类别: 1+: ￥12.60 50+: ￥12.40 500+: ￥12.20 2000+: ￥ 描述: 进口原装现货 库存: 10000 数据手册: 下载数据手册 现在库存 10000 ,由于库存量无法及时更新,如需更多库存请联系我们联系我们: 购买数量: 分享到: ...