SQJB48EP-T1_GE3由VISHAY(威世)设计生产,立创商城现货销售。SQJB48EP-T1_GE3价格参考￥4.8。VISHAY(威世) SQJB48EP-T1_GE3参数名称:类型:2个N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):30A;导通电阻(RDS(on)):5.2mΩ@10V,8A;耗散功率(Pd):48W;阈值电压(Vgs(th)
SQJB48EP-T1_GE3 功率MOSFET PowerPAK® SO-8L Dual -55℃~175℃ 30A 5.2mΩ@8A,10V 40V 48W ±20V N-Channel 车规 图像仅供参考 请参阅产品规格 图片丝印不一定为本产品 对比推荐 制造商编号SQJB48EP-T1_GE3 制造商Vishay(威世) 授权代理品牌...
型号:SQJA36EP-T1_GE3 封装:PowerPAK? SO-8 品牌: VISHAY 年份: 分类: 包装方式: 库存量:30000 标准包装数: 最小起订量:+ 货期: 订购量: - + 询价 其他平台购买链接: 暂无 型号 SQJA36EP-T1_GE3 该型号暂未公布参数 若需提供参数支持,请联系网站客服人员哦! 联系客服 SQJ...