SQD50N06-09L场效应管采用N沟道MOS结构，其工作原理基于栅极电压的调节，实现对电流的精确控制。当栅极施加正电压时，形成源极到漏极的导通通道，电流得以流通，使得场效应管处于导通状态。在负电压作用下，栅极电场减弱，导通通道关闭，电流无法流通，进入截止状态。通过栅极电压的调节，可以灵活控制电流的大小，从而实...
SQD50N06-09L在电机控制系统中起着关键作用。SQD50N06-09L用以电机驱动电路,可以实现对电机启停、速率调整等功能的精准控制。SQD50N06-09L可以确保电机系统的高效运行,提升电机控制系统的性能。 通过这些具体应用案例,大家深刻认识到SQD50N06-09L场效应管不但在电源管理系统中发挥了重要作用,并且在电机控制系统中也...
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爱企查为您提供SQD50N06-09L_GE3 MOSFET VISHAY 封装TO-252-3 批次21+,深圳市勤思得电子有限公司售卖商品,可电话联系商家或留言询价。价格;行情报价;图片;厂家;品牌-VISHAY;封装-TO-252-3;批号-21+;数量-22000;制造商-Vishay;产品种类-MOSFET;RoHS-是;技术-Si
型号 SQD50N06-09L_GE3 AOD2610 唯样编号 N-SQD50N06-09L_GE3 A-AOD2610 制造商 Vishay AOS 供应商 海外代购 唯样自营 分类 功率MOSFET 功率MOSFET 描述 表面贴装型-N-通道-60V-50A(Tc)-136W(Tc)-TO-252-(D-Pak) 数据表 SQD50N06-09L_GE3.pdf TO252 (DPAK) Pkg Drawing.pdf RoHs ...
商品型号 SQD50N06-09L-GE3-VB 商品编号 C7463652 商品封装 TO-252 包装方式 编带 商品毛重 0.381667克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个N沟道 漏源电压(Vdss)60V 连续漏极电流(Id)58A 导通电阻(RDS(on))- ...
型号 SQD50N06-09L-GE3 产品详情 全新,主营TI/ST/ON/DIODES/仙童/UTC/AOS/NXP等产品 联系我们 联系人朱小姐 联系电话13510413885 电子邮箱969060655@qq.com 联系地址深圳市福田区华强北街道华强电子世界3号楼2楼2C057 为您推荐 查看详情 ¥0.90元 ≥1个 VISHAY/威世 109D686X9025C2 液体钽电容器 25volt...
型号 SQD50N06-09L-GE3 产品详情 技术参数 品牌: VISHAY/威世 型号: SQD50N06-09L-GE3 批号: 2020 封装: SOT252 数量: 10000 QQ: 1211917089 产品识别码: 8079e7f1-abbe-11ea-a21f-00163e1552d4-27 型号识别码: e76d5f92-09d8-11ea-a82c-00163e1552d4-49 定货号: 07121 产品类型: 优势 上架时...
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 其他集成电路 商品关键词 SQD50N06-09L-VB、 VBsemi(微碧)、 TO-252 商品图片 商品参数 品牌: VBsemi(微碧) 封装: TO-252 批号: 23+ 数量: 10000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -30C 最大工作温度: 100C 最...
品牌:VBsemi(微碧半导体)(授权代理) 商品型号:SQD50N06-09L-VB 产品状态:在售 封装规格:TO252 数据手册: 商品编号:L103744562 商品参数 商品类目 场效应管(MOSFET) 品牌 VBsemi(微碧半导体) 封装规格 TO252 包装 整包装 根据勾选的参数属性查找商品。 海量...