唯样商城为您提供Vishay设计生产的SQ2303ES-T1_GE3 元器件,主要参数为:±20V 1.9W(Tc) -55°C~175°C(TJ) SOT-23-3 P-Channel 2.5A 370mΩ 1.5V 车规,SQ2303ES-T1_GE3库存充足,购买享优惠!
A-SQ2303ES-T1_GE3 自营库存:20 库存: 2,809 价格梯度单价(含税) 40 + ￥1.5289 50 + ￥1.4668 料盘7寸 ￥2 + - 单价:￥1.5289 总价:￥61.156 加入购物车 立即购买 购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。 最小包:1 交期: 请咨询客服 有现货 > 起订量:40 倍数:5新品...
品牌名称VBsemi(微碧半导体) 商品型号 SQ2303ES-T1-GE3-VB 商品编号 C7463595 商品封装 SOT-23 包装方式 编带 商品毛重 0.042633克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个P沟道 漏源电压(Vdss)30V 连续漏极电流(Id)5.6A ...
SQ2303ES-T1_GE3 由Vishay 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 digikeychip1stopfuture 等渠道进行代购。 SQ2303ES-T1_GE3 价格参考￥ 3.8286 。 Vishay SQ2303ES-T1_GE3 封装/规格: SOT346, MOSFETP-CHAN30VSOT23。你可以下载 SQ2303ES-T1_GE3 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料...
商品型号 SQ2303ES-T1_GE3 商品编号 C142519 商品封装 SOT-23 包装方式 编带 商品毛重 0.035克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个P沟道 漏源电压(Vdss)30V 连续漏极电流(Id)1.5A 导通电阻(RDS(on))170mΩ@10V,1.7A ...
SQ2303ES-T1_GE3是一款常用的IC元器件，广泛应用于电子设备中。它是一种场效应管，具有高速开关特性和低导通电阻。由于其优异的性能，它在现代电子设备中扮演着重要的角色。SQ2303ES-T1_GE3的主要特点是其高速开关特性。这意味着它可以在非常短的时间内从关断状态变为导通状态。这种特性使得它在高频应用中非常有...
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SQ2303ES-T1-GE3-VB 是一款 SOT23 封装的 P-Channel 沟道 MOSFET。具有负电压(-30V)和中等电流容量(-5.6A),适用于低功率电子模块。 **应用领域:** 1. **电源模块:** 用于低功率电源开关,例如便携式电子设备。 2. **电池管理:** 在电池保护电路中,实现对电池的开关控制。 3. **小功率开关电路:**...
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型号识别码 963921ba-e70f-11e8-8f20-12bb97331649-88 定货号 05937 产品类型 普通 上架时间 2019-11-11T11:50:59 可售卖地 全国 型号 SQ2303ES-T1-GE3 产品详情 技术参数 品牌: VISHAY 型号: SQ2303ES-T1-GE3 批号: 19+ROHS 封装: SOT-23 数量: 300000 QQ: 331287298 产品识别码: 78f9d8ca-04...