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功率MOSFET ±8V -55°C~175°C(TA) SOT-23-3 P-Channel 3.9A 180mΩ 450mV 3W 车规 图像仅供参考 请参阅产品规格 图片丝印不一定为本产品 对比推荐 制造商编号SQ2301ES-T1_GE3 制造商Vishay(威世) 授权代理品牌 唯样编号B-SQ2301ES-T1_GE3-1 ...
制造商编号 SQ2301ES-T1_GE3 制造商 Vishay(威世) 授权代理品牌 唯样编号 A-SQ2301ES-T1_GE3 供货 自营 无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs 描述 MOSFET分享: 数据手册 发送到邮箱 PDF资料下载 SQ2301ES-T1_GE3.pdf 参数信息 商品简介 常见问题 参数有误? 技巧:勾选主要参数,留空一些可替代的参数,...
型号: SQ2301ES-T1_GE3 封装: SOT-23 批号: 2021+ 数量: 658900 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SOT-23-3 晶体管极性: P-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 20 V Id-连续漏极电流: 3.9 A Rds On-漏源导通电阻: 120 mOhms Vgs - ...
品牌名称VISHAY(威世) 商品型号 SQ2301ES-T1_GE3 商品编号 C428744 商品封装 SOT-23-3 包装方式 编带 商品毛重 0.0442克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个P沟道 漏源电压(Vdss)20V 连续漏极电流(Id)3.9A ...
品牌名称VBsemi(微碧半导体) 商品型号 SQ2301ES-T1-GE3-VB 商品编号 C22388975 商品封装 SOT-23 包装方式 编带 商品毛重 0.043克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 参数完善中 数据手册PDF 放大查看下载PDF 梯度价格 梯度 售价 折合1圆盘 10+￥0.2236 ...
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