SPP11N80C3 场效应 800V11A 11N80C3三极管现货TO220全新 深圳市东柏森电子有限公司 8年 月均发货速度: 暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥8.00 成交20PCS 原装SPP11N80C3 丝印11N80C3 TO-220 N沟道 800V 11A 场效应管 深圳市新大康科技有限公司 1年 月均发货速度: 暂无记录 广东 深圳市福田区...
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SPP11N80C3由Infineon(英飞凌)设计生产,立创商城现货销售。SPP11N80C3价格参考￥9.84。Infineon(英飞凌) SPP11N80C3参数名称:类型:1个N沟道;漏源电压(Vdss):800V;连续漏极电流(Id):11A;导通电阻(RDS(on)):450mΩ@10V,7.1A;耗散功率(Pd):156W;阈值电压(Vgs(th))
型号 SPP11N80C3 MOS(场效应管) 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则最终以订单结算页价格为准。 抢购价:商品参与营销...
SPP11N80C3XKSA1更新时间:2025-01-24 15:09:29 品牌:INFINEON 描述:Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 800V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN
SPP11N80C3由Infineon设计生产。SPP11N80C3封装/规格:配置/单路:阈值电压/3.9V@680μA:功率耗散/156W:额定功率/156W:充电电量/64nC:栅极源极击穿电压/±20V:击穿电压/800V:极性/N-沟道:元件生命周期/Active:存储温度/-50℃~+150℃:引脚数/3Pin:高度/15.95mm:长x宽/尺寸/10.36 x 4.57mm:原产国家/Germa...
MOSFETs Infineon SPP11N80C3 数量国内含税 1+￥15.56575 30+￥15.02900 100+￥13.95550 500+￥12.88200 1000+￥12.34525 华秋自营合作库存 交货地: 1国内(含增税)交期(工作日):可订货 库存: 0(1起订) 批次: - 数量: X15.56575(单价)「管装(TUBE)/50」...
系列 CoolMOS C3 晶体管类型 1 N-Channel 宽度 4.4 mm 下降时间 10 ns 上升时间 15 ns 典型关闭延迟时间 72 ns 典型接通延迟时间 25 ns 单位重量 6 g 可售卖地 全国 型号 SPP11N80C3 PDF资料 电子管-场效应管-SPP11N80C3-Infineon-TO-220F-23+.pdf 下载 价格说明 价格:商品在爱采购...
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 三极管 、 开关三极管 商品关键词 SPP11N80C3场效应管800V11A11N80C3、 英飞凌 商品图片 商品参数 品牌: 英飞凌 数量: 13138 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -20C 最大工作温度: 125C 最小电源电压: 3.5V 最大电源电压: 9.5V 长度...