SPI NAND SPI NAND 内置ECC,满足高可靠,大容量代码存储需求。 工作电压 VCC=2.7~3.6V 支持QSPI 接口 数据保持时间 10 年 产品参数 产品参数 封装格式 WSON8 产品尺寸 6×8×0.9 (mm) 可选容量 1Gb | 2Gb | 4Gb 传输速率 QSPI可达320MHz 工作电压...
摘要 本发明公开了一种具有高传输介面的新型SPI‑NANDFlash存储芯片,包括:可用于下发SPI命令的SPI命令逻辑控制单元、MCU数字逻辑单元、NANDFlash存储单元和DQS管脚;所述MCU数字逻辑单元包括DDRPing缓冲器和DDRPong缓冲器;所述NANDFlash存储单元包括静态随机存取存储器和NAND闪存,所述静态随机存取存储器包括数据缓冲器...
SPI-NAND的测试方法和装置专利信息由爱企查专利频道提供,SPI-NAND的测试方法和装置说明:本发明公开了一种SPI-NAND的测试方法和装置。本发明SPI-NAND的测试方法,包括:接收...专利查询请上爱企查
第一MCU接收测试主机发送的SPI NAND FLASH芯片的功能测试命令;第一MCU将功能测试命令存储在命令接收缓存中;第二MCU检测到命令接收缓存中存有功能测试命令时,将功能测试命令发送至SPI控制器;第二MCU接收SPI控制器反馈的功能测试结果,将功能测试结果存储在结果发送缓存中;第一MCU检测到结果发送缓存中存有功能测试结果时,...
摘要 本实用新型涉及一种基于NAND闪存和SPI接口的超长时程心电记录装置,由心电记录仪和数据接收模块组成,所述的心电记录仪包括心电电极、心电信号放大模块、MCU控制模块、NAND闪存模块和数据传输模块,数据接收模块为外置设备,其中,所述的心电电极、心电信号放大模块、MCU控制模块和NAND闪存模块顺次电连接,数据传输模块分别...
专利名称 XSPINandFlash的坏块管理方式 申请号 201710919900X 申请日期 2017-09-30 公布/公告号 CN107894872A 公布/公告日期 2018-04-10 发明人 黄亚龙,廖炳隆 专利申请人 - 专利代理人 贺翔; 徐晓鹭 专利代理机构 江苏圣典律师事务所 专利类型 发明专利 主分类号 G06F3/06(2006.01)I;G06F12/06(2006.01)I...
一种SPINOR及NAND闪存传输模式识别方法专利信息由爱企查专利频道提供,一种SPINOR及NAND闪存传输模式识别方法说明:本发明公开了一种SPI...专利查询请上爱企查
本发明SPI‑NAND的多任务操作方法,包括接收计算机的处理器发送的任务处理指令,所述任务处理指令包括待处理的多个任务;以用最短时间完成对所述多个任务的操作为目的,配置多个寄存器组的参数值,其中,每个所述寄存器组在一个时间段内实现一个所述任务的操作;同时启动配置好的所述多个寄存器以实现所述多个任务的操作。
一种防止SPI-Nand读取数据页出错的方法及装置专利信息由爱企查专利频道提供,一种防止SPI-Nand读取数据页出错的方法及装置说明:本发明公开了一种防止SPI‑Nand读取数据页出错的方法及装置。该方法包括当读取第一数据页对P...专利查询请上爱企查
一种SPI-Nand查找数据页的方法及装置专利信息由爱企查专利频道提供,一种SPI-Nand查找数据页的方法及装置说明:本发明公开了一种SPI-Nand查找数据页的方法及装置。该方法包括:获取区块对PairBloc...专利查询请上爱企查