W25Qxx系列是一种低成本、小型化、使用简单的非易失性存储器,常应用于数据存储、字库存储、固件程序存储等场景 存储介质:Nor Flash(闪存) 时钟频率:80MHz / 160MHz (Dual SPI) / 320MHz (Quad SPI) Dual SPI:双重SPI。 发的时候,可以同时用 MOSI 和 MISO 发送,在收的时候,也可以同时用 MOSI 和 MISO 接...
当然如果还不放心,就可以利用uboot的sf命令,把norflash的前面1M空间重新擦除,看看是不是还能正常启动,看看是不是v3s会再次进入到usb otg的状态。 => sf probe0;SF:Detected mx25l25635f with page size256Bytes, erase size64KiB, total32MiB => sf erase0x00x100000;SF:1048576bytes @0x0Erased:OK => ...
问题2:需要一个烧录器向SPI flash中烧写内容,用的是西立特公司的superPro,但烧录步骤错误了,忘记了在编程之前必须要erase, 了解了一下,好像是和nor flash一样的介质,擦除会把所有bit置1,在编程的时候根据需要只可以把相应位置0. 问题3:在使用MCU上一个SPI 控制器接口接SPI flash时,没有交叉连接,即MCU 的DI...
SPI NAND支持QSPI接口,具备高速,高可靠,低功耗的特点,相较于传统并行接口,具有封装体积小,引脚少,易于使用的优势,并且可以与SPI NOR Flash共用Layout设计,易于切换,使得其越来越广泛使用。 本文以具体型号为GD5F1GM7xExxG的GD的NAND为例,对SPI NAND Flash进行介绍。不同厂家的不同型号都大同小异了解一款其他的也就...
Sector Erase (SE) (20H) ：Sector擦除命令，时序如下：GD25Q128ESIGR就介绍到这里，读者可以在兆易创新官网下载该NOR FLASH的datasheet以获取更多信息。11.3 硬件设计 海棠派开发板SPI——NOR FLASH的硬件设计如下：从图中可以看出，本实验使用的是普通单线SPI，GD25Q128ESIGR的片选由GD32H757的PF6控制，并...
NOR_CMD_LUT_SEQ_IDX_READSTATUSREG 11 #define NOR_CMD_LUT_SEQ_IDX_ERASECHIP 12 /***第2部分***/ /* 查找表的长度 */ #define CUSTOM_LUT_LENGTH 60 /* 定义查找表LUT * 下表以[4 * NOR_CMD_LUT_SEQ_IDX_xxxx]表示1个序列, * 1个序列最多包含8条指令,使用宏FLEXSPI_LUT_SEQ可以一次定义...
Sector Erase (SE) (20H) :Sector擦除命令,时序如下: GD25Q32ESIGR就介绍到这里,读者可以在兆易创新官网下载该NOR FLASH的datasheet以获取更多信息。 19.3硬件设计 红枫派开发板SPI——NOR FLASH的硬件设计如下: 从图中可以看出,本实验使用的是普通单线SPI,GD25Q32ESIGR的片选由GD32F303ZET6的PG14控制(因PG...
• NOR FLASH按block擦除函数bsp_nandflash_block_erase，输入block号即可擦除；该函数流程是：使能NAND FLASH的写功能->向NOR FLASH发送block擦除指令0xD8->发送左移6位的Block NO->查询OIP标志等待完成 • NOR FLASH按page写入函数bsp_nandflash_page_program，输入待写入数据指针、block号、page号；该函数...
compatible = "jedec,spi-nor"; spi-max-frequency=<30000000>; reg = <0x0>; spi-rx-bus-width=<0x01>; spi-tx-bus-width=<0x01>; status="disabled"; }; }; 三、修改环境参数 修改uboot启动的环境参数,选择从SPI NAND启动; 路劲:./device/config/chips/t113/configs/evb1/env.cfg ...
The DS25M4BA array is organized into 131,072 programmable pages of 256-bytes each.Up to 256 bytes can be programmed at a time.Pages can be erased in groups of 16(4KB sector erase),groups of 128(32KB block erase),groups of 256(64KB block erase)or the entire chip(chip erase). The ...